Gasphasenepitaxie

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• Gasphasenepitaxie — dujinė epitaksija statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. gaseous phase epitaxy vok. Gasphasenepitaxie, f rus. газовая эпитаксия, f pranc. épitaxie en phase gazeuse, f …   Fizikos terminų žodynas

• Metallorganische Gasphasenepitaxie — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die… …   Deutsch Wikipedia

• metallorganische Gasphasenepitaxie — garinė metalo ir organinio junginio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic vapor phase epitaxy vok. metallorganische Gasphasenepitaxie, f rus. эпитаксия металлоорганического соединения из паровой фазы, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… …   Deutsch Wikipedia

• Epitaktisch — Epitaxie (v. griech. „epi“ „auf“, „über“ und „taxis“ im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, bei welcher die kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) derjenigen… …   Deutsch Wikipedia

• Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …   Deutsch Wikipedia

• FBH-Berlin — Ferdinand Braun Institut für Höchstfrequenztechnik Kategorie: Forschungseinrichtung Träger: Forschungsverbund Berlin Rechtsform des Trägers: Eingetragener Verein Sitz des Trägers: Berlin Mitgliedschaft: Leibniz Gemeinschaft Standort der… …   Deutsch Wikipedia

• Ferdinand-Braun-Institut — für Höchstfrequenztechnik Kategorie: Forschungseinrichtung Träger: Forschungsverbund Berlin Rechtsform des Trägers: Eingetragener Verein Sitz des Trägers: Berlin Mitgliedschaft: Leibniz Gemeinschaft Standort der Einrichtung …   Deutsch Wikipedia

• Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik — Kategorie: Forschungseinrichtung Träger: Forschungsverbund Berlin Rechtsform des Trägers: Eingetragener Verein Sitz des Trägers: Berlin Mitgliedschaft: Leibniz Gemeinschaft Standort der Einrichtung …   Deutsch Wikipedia

• Ferdinand Braun Institut — für Höchstfrequenztechnik Kategorie: Forschungseinrichtung Träger: Forschungsverbund Berlin Rechtsform des Trägers: Eingetragener Verein Sitz des Trägers: Berlin Mitgliedschaft: Leibniz Gemeinschaft Standort der Einrichtung …   Deutsch Wikipedia

• OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …   Deutsch Wikipedia