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1 Drain-source-Spannung
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Drain-source-Spannung
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2 напряжение сток-исток
- drain-source (d. c.) voltage
напряжение сток-исток
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Обозначение
UCИ
UDS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- drain-source (d. c.) voltage
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение сток-исток
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3 максимально допустимое напряжение сток-исток
максимально допустимое напряжение сток-исток
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Обозначение
UСИmax
UDSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение сток-исток
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4 ток отсечки затвора
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток отсечки затвора
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5 пробивное напряжение затвора
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение затвора
См. также в других словарях:
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Source-Folger — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold Leakage — Bei subthreshold leakage (englisch, dt. ‚Unterschwellspannungsleckstrom‘) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Unterschwellspannungsstrom — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-Feldeffekttransistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
JFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
SFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
