-
1 Drain-Source-Spannung
напряжение сток-исток
-
Обозначение
UCИ
UDS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- drain-source (d. c.) voltage
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Drain-Source-Spannung
-
2 Drain-Source-Spannung
сущ.микроэл. напряжение между стоком и истоком, напряжение сток-истокУниверсальный немецко-русский словарь > Drain-Source-Spannung
-
3 Drain-Source-Spannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Drain-Source-Spannung
-
4 maximal zulässige Drain-Source-Spannung
максимально допустимое напряжение сток-исток
-
Обозначение
UСИmax
UDSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Drain-Source-Spannung
-
5 Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung
-
6 drain-source (d. c.) voltage
напряжение сток-исток
-
Обозначение
UCИ
UDS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- drain-source (d. c.) voltage
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > drain-source (d. c.) voltage
-
7 tension maximale drain-source
максимально допустимое напряжение сток-исток
-
Обозначение
UСИmax
UDSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension maximale drain-source
-
8 tension (continue) drain-source
напряжение сток-исток
-
Обозначение
UCИ
UDS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- drain-source (d. c.) voltage
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension (continue) drain-source
-
9 courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
-
10 maximum drain-source-voltage
максимально допустимое напряжение сток-исток
-
Обозначение
UСИmax
UDSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum drain-source-voltage
-
11 gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
-
12 Source-Drain-Spannung
сущ.микроэл. напряжение сток-истокУниверсальный немецко-русский словарь > Source-Drain-Spannung
-
13 Source-Drain-Spannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Source-Drain-Spannung
-
14 gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)
-
15 Gate-Source-Durchbruch-Spannung
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Source-Durchbruch-Spannung
-
16 tension de claquage grille-source
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage grille-source
См. также в других словарях:
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Source-Folger — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold Leakage — Bei subthreshold leakage (englisch, dt. ‚Unterschwellspannungsleckstrom‘) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Unterschwellspannungsstrom — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-Feldeffekttransistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
JFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
SFET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia