-
1 rise time
- длительность переднего фронта импульса
- время подъёма мощности
- время подъёма
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
- время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время нарастания (вторичного напряжения)
- время нарастания
- время восстановления (в электротехнике)
время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time
-
2 rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
37. Время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
-
3 rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
34. Время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée du photocourant du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
-
4 rise time of the normalized transfer characteristic
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time of the normalized transfer characteristic
См. также в других словарях:
Anstiegszeit — Flankenanstiegszeit * * * Anstiegszeit, die Zeitdauer ta, in der ein elektrischer Impuls, allgemein bei elektrischen Schaltvorgängen der Strom, speziell bei bipolaren Schalttransistoren der Kollektorstrom, von 10 % seines späteren Höchstwertes… … Universal-Lexikon
Anstiegszeit — Unter Anstiegszeit und Abfallzeit (engl. rise time und fall time) versteht man in der Messtechnik und der Digitaltechnik die Zeit, die ein Pegelwechsel eines (idealerweise) rechteckförmigen Signals real benötigt, um seinen Signalpegel zwischen… … Deutsch Wikipedia
Anstiegszeit — kilimo trukmė statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. rise time vok. Anregelzeit, f; Anstiegszeit, f rus. время нарастания, n pranc. temps de montée, m … Automatikos terminų žodynas
Anstiegszeit — didėjimo trukmė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. building up time; build up time; rise time vok. Anklingzeit, f; Anstiegszeit, f rus. время нарастания, n pranc. temps de croissance, m; temps de montée, m … Fizikos terminų žodynas
Flankenanstiegszeit — Anstiegszeit … Universal-Lexikon
Regelkreis — Blockschaltbild eines einfachen Standardregelkreises, bestehend aus der Regelstrecke, dem Regler und einer negativen Rückkopplung der Regelgröße y (auch Istwert). Die Regelgröße y wird mit der Führungsgröße (Sollwert) w verglichen. Die… … Deutsch Wikipedia
Abtastregelung — Die Regelungstechnik ist ein Gebiet der Ingenieurwissenschaft und Teilgebiet der Automatisierungstechnik. Sie befasst sich mit der gezielten Beeinflussung von physikalischen, chemischen, biologischen oder anderen Größen in Geräten, Anlagen,… … Deutsch Wikipedia
Black-Box-Modell — Die Regelungstechnik ist ein Gebiet der Ingenieurwissenschaft und Teilgebiet der Automatisierungstechnik. Sie befasst sich mit der gezielten Beeinflussung von physikalischen, chemischen, biologischen oder anderen Größen in Geräten, Anlagen,… … Deutsch Wikipedia
DIN 19226 — Die Regelungstechnik ist ein Gebiet der Ingenieurwissenschaft und Teilgebiet der Automatisierungstechnik. Sie befasst sich mit der gezielten Beeinflussung von physikalischen, chemischen, biologischen oder anderen Größen in Geräten, Anlagen,… … Deutsch Wikipedia
Grey-Box-Modell — Die Regelungstechnik ist ein Gebiet der Ingenieurwissenschaft und Teilgebiet der Automatisierungstechnik. Sie befasst sich mit der gezielten Beeinflussung von physikalischen, chemischen, biologischen oder anderen Größen in Geräten, Anlagen,… … Deutsch Wikipedia
Mess- und Regeltechnik — Die Regelungstechnik ist ein Gebiet der Ingenieurwissenschaft und Teilgebiet der Automatisierungstechnik. Sie befasst sich mit der gezielten Beeinflussung von physikalischen, chemischen, biologischen oder anderen Größen in Geräten, Anlagen,… … Deutsch Wikipedia