-
1 AlGaAs-Laser
m < opt> ■ AlGaAs laser; Aluminum Gallium Arsenid laser -
2 солнечный элемент на основе n-AlGaAs-p-AlGaAs с постоянной шириной запрещённой зоны
Makarov: graded n-AlGaAs-p-AlGaAs solar cellУниверсальный русско-английский словарь > солнечный элемент на основе n-AlGaAs-p-AlGaAs с постоянной шириной запрещённой зоны
-
3 солнечный элемент на основе n-AlGaAs-p-AIGaAs с постоянным составом алюминия
Универсальный русско-английский словарь > солнечный элемент на основе n-AlGaAs-p-AIGaAs с постоянным составом алюминия
-
4 Aluminum Gallium Arsenide
Electronics: ALGAASУниверсальный русско-английский словарь > Aluminum Gallium Arsenide
-
5 Aluminium-Gallium-Arsenid-Laser
m < opt> ■ AlGaAs laser; Aluminum Gallium Arsenid laserGerman-english technical dictionary > Aluminium-Gallium-Arsenid-Laser
-
6 гетеропереход
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.Russian-English dictionary of Nanotechnology > гетеропереход
-
7 heterojunction
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.Russian-English dictionary of Nanotechnology > heterojunction
См. также в других словарях:
AlGaAs — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… … Deutsch Wikipedia
AlGaAs — Arséniure de gallium aluminium Arséniure de gallium aluminium Général Nom IUPAC Arséniure de gallium aluminium Propriétés chimiques Formule brute AlxGa … Wikipédia en Français
ALGAAS — Aluminum Gallium Arsenide (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter … Acronyms
AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter … Acronyms von A bis Z
Qwip — Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector : en français, « photodétecteur infrarouge à puits quantiques ») est un détecteur de rayonnement infrarouge. La gamme de longueurs d onde couverte en 2007 s étend de 3 µm à plus de 30 µm … Wikipédia en Français
QWIP — Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector : en français : « photodétecteur infrarouge à puits quantiques ») est un détecteur de rayonnement infrarouge. La gamme de longueurs d onde couverte en 2007 s étend de 3 µm à plus de … Wikipédia en Français
Арсенид алюминия-галлия — Арсенид алюминия галлия … Википедия
HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
Transistores HEMT — Sección de un transitor pHEMT de composición GaAs/AlGaAs/InGaAs Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de… … Wikipedia Español