-
1 транзисторы
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > транзисторы
-
2 транзисторы
nmicroel. Transistoren -
3 транзисторы с взаимно дополняющей структурой
nУниверсальный русско-немецкий словарь > транзисторы с взаимно дополняющей структурой
-
4 транзисторы с дополнительной симметрией
ngener. komplementäre TransistorenУниверсальный русско-немецкий словарь > транзисторы с дополнительной симметрией
-
5 транзисторы с симметричной структурой
nelectr. Transistoren komplementäre (типа п-р-п и р-п-р), komplementäre Transistoren (òèïà n-p-n è p-n-p)Универсальный русско-немецкий словарь > транзисторы с симметричной структурой
-
6 дополняющие транзисторы
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > дополняющие транзисторы
-
7 парные транзисторы
парные транзисторы мн. Transistorpaar n; Transistorpärchen n; Zwillingstransistor mБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > парные транзисторы
-
8 КМОП-транзисторы
abbrelectr. CMOSFET, komplementärer MOSFET -
9 взаимно дополняющие транзисторы
adjmicroel. KomplementärtransistorenУниверсальный русско-немецкий словарь > взаимно дополняющие транзисторы
-
10 дополняющие транзисторы
Универсальный русско-немецкий словарь > дополняющие транзисторы
-
11 комплементарные МОП-транзисторы
adjelectr. CMOSFET, komplementärer MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > комплементарные МОП-транзисторы
-
12 комплементарные транзисторы
adjmicroel. Komplementartransistoren, Komplementärtransistoren, komplementäre TransistorenУниверсальный русско-немецкий словарь > комплементарные транзисторы
-
13 парные транзисторы
-
14 переход на транзисторы
neng. TransistorisierungУниверсальный русско-немецкий словарь > переход на транзисторы
-
15 дополняющие транзисторы
( типа n-p-n и p-n-p) komplementäre TransistorenRussian-german polytechnic dictionary > дополняющие транзисторы
-
16 телевизионный приемник, в котором используются электронные лампы и транзисторы
Fernsehempfänger m mit Elektronenröhren und TransistorenРусско-немецкий словарь по электронике > телевизионный приемник, в котором используются электронные лампы и транзисторы
-
17 время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время включения биполярного транзистора
-
18 время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время выключения биполярного транзистора
-
19 время задержки для биполярного транзистора
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время задержки для биполярного транзистора
-
20 время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для биполярного транзистора
См. также в других словарях:
Биполярные транзисторы — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… … Википедия
полевые транзисторы с затвором Шотки — Полевые транзисторы с контактом металл полупроводник (диодом Шотки) в качестве затвора; позволяет реализовать полевые транзисторы на полупроводниках, которые не имеют высококачественных природных оксидов (например, GaAs) и поэтому не позволяют… … Справочник технического переводчика
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
NMOS- и PMOS-транзисторы — Полупроводники структуры MOS (metal oxide semiconductor) или МОП («металл окисел проводник»), транзисторы «полевого» типа. В общем случае их отличие от биполярных транзисторов состоит в том, что они обладают двумя электродами, по которым течет… … Глоссарий терминов бытовой и компьютерной техники Samsung
активные паразитные элементы (напр. транзисторы) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва] Тематики электротехника, основные понятия EN active parasitics … Справочник технического переводчика
комплементарные транзисторы — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN complementary transistors … Справочник технического переводчика
Одноэлектронные устройства (SET - транзисторы, нано-электрометры, микрокулеры, болометры) — Статьитуннелирование (Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО») … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
31.080.30 — Транзистори ГОСТ 15172 70 Транзисторы. Перечень основных и справочных параметров ГОСТ 17466 80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры. Взамен ГОСТ 17466 72 ГОСТ 18604.0 83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении… … Покажчик національних стандартів
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия