-
41 delay time
- продолжительность выдержки
- время задержки тиристора
- время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время задержки модуля (блока) СВЧ
- время задержки импульса интегральной микросхемы
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
- время задержки
время задержки
—
[Интент]Параллельные тексты EN-RU
The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]
Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]Тематики
Обобщающие термины
- модули СВЧ, блоки СВЧ
- параметры
Синонимы
EN
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
Время задержки
Delay time
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > delay time
-
42 turn-off delay time
- время задержки выключения полевого транзистора
- Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
84. Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
Время задержки выключения
Turn-off delay time
t0и1зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off delay time
-
43 small-signal value of the short-circuit input admittance
- входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y11
y11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*11
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit input admittance
-
44 small-signal value of the short-circuit input impedance
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit input impedance
-
45 output power
- генерируемая мощность
- выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- выходная мощность прибора СВЧ
- выходная мощность генераторной лампы
- выходная мощность биполярного транзистора
- выходная мощность
- выработка электроэнергии
выработка электроэнергии
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность биполярного транзистора
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Обозначение
Pвых
Pout
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
выходная мощность генераторной лампы
выходная мощность
Ндп. мощность, отдаваемая генераторной лампой
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь.
Примечание
Величина расчетная (непрсредственно не измеряемая).
[ ГОСТ 20412-75]Недопустимые, нерекомендуемые
- мощность, отдаваемая генераторной лампой
Тематики
Синонимы
EN
FR
выходная мощность прибора СВЧ
выходная мощность
Рвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (Pвых, Pout)
Значение мощности, измеренное на выходном нагрузочном полном сопротивлении пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
генерируемая мощность
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
55. Выходная мощность генераторной лампы*
Выходная мощность
Ндп. Мощность, отдаваемая генераторной лампой
E. Output power
F. Puissance de sortie
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
194. Выходная мощность прибора СВЧ
Выходная мощность
Output power
Pвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
60. Выходная мощность биполярного транзистора
D. Ausgangsleistung
E. Output power
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output power
-
46 peak envelope power
- пиковая мощность огибающей
- максимальное значение мощности огибающей
- выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.
Обозначение
Pвых,п.о
Примечание
Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
максимальное значение мощности огибающей
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
пиковая мощность огибающей
—
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak envelope power
-
47 cut-off frequency
- частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- частота среза
- предельная частота ФЭПП
- предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
- предельная частота варикапа
- граничная частота
граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]EN
cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]FR
fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]Синонимы
EN
DE
FR
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
частота среза
граничная частота
1. Частота, при которой амплитуда сигнала составляет определенную часть от максимальной (например, на 3 дБ меньше).
2. Частота, при которой амплитуда передаваемых колебаний на 3 дБ меньше, чем на частоте максимума.
[BS EN 1330-4:2000. Non-destructive testing - Terminology - Part 4: Terms used in ultrasonic testing]
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]Тематики
- виды (методы) и технология неразр. контроля
Синонимы
EN
частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (fc)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de conpure
fh21
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > cut-off frequency
-
48 peak power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
импульсная рассеиваемая мощность диода
Pи, РМ
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода
D. Spitzenverlustleistung der Diode
E. Peak power dissipation
Pи
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak power dissipation
-
49 fifth order intermodulation products factor
- коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M5
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fifth order intermodulation products factor
-
50 third order intermodulation products factor
- коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M3
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > third order intermodulation products factor
-
51 saturation coefficient
коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. степень насыщения
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения.
Обозначение
Kнас
Ksat
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
FR
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. Степень насыщения
E. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
Кнас
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation coefficient
-
52 small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
- коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
-
53 small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
Обозначение
h21
h21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalstromverstärkung
E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
h*21
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
-
54 forward transconductance
крутизна характеристики полевого транзистора
крутизна характеристики
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Обозначение
S
gms
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward transconductance
-
55 maximum frequency of oscillation
максимальная частота генерации биполярного транзистора
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора.
Обозначение
fmax
fmax
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора
E. Maximum frequency of oscillation
F. Fréquence maximale d’oscillation
fmax
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum frequency of oscillation
-
56 maximum peak power dissipation
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum peak power dissipation
-
57 modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
- модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
│h21e│
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
-
58 gate-source cut-off voltage
напряжение отсечки полевого транзистора
напряжение отсечки
Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.отс
UGS(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-source cut-off voltage
-
59 punch-through (penetration) voltage
напряжение смыкания биполярного транзистора
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база.
Обозначение
UСМК
Upt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de pénétration (tension de persage)
Ucмк
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > punch-through (penetration) voltage
-
60 collector-emitter cut-off current
обратный ток коллектор-эмиттер
Ндп. начальный ток коллектора
ток коллектора закрытого транзистора
Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер.
Обозначение
IКЭ
Примечание
При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO;
при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER;
при заданном обратном напряжении эмиттер-база IКЭX, ICEX.
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
3. Обратный ток коллектор-эмиттер
Ток коллектора закрытого транзистора
D. Kollektor- Emitter- Reststrom
E. Collector-emitter cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur-émetteur
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter cut-off current
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика