-
1 transistor gate
1) елемент транзисторної логіки2) затвор транзистора (напр. польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > transistor gate
-
2 alpha
1) альфа (коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою 2) альфа-частинка -
3 alpha current factor
коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою, альфа, αEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > alpha current factor
-
4 base characteristic
базова [вхідна] характеристика (транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > base characteristic
-
5 base finger
базова смужка (транзистора з проникною базою)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > base finger
-
6 base grating
гратка [сітка] в базі (транзистора з проникною базою)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > base grating
-
7 beta
1) бета, β (коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером) 2) бета-випромінювання - inverse beta -
8 beta-current gain factor
коефіцієнт підсилення транзистора по струму в схемі із загальним емітером, бета, βEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > beta-current gain factor
-
9 bipolar configuration
1) біполярна структура2) конфігурація біполярного транзистораEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > bipolar configuration
-
10 channel current
струм каналу (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel current
-
11 channel cutoff
відсічка каналу (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel cutoff
-
12 channel diffusion
дифузія для формування каналу (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel diffusion
-
13 channel leakage
струм втрат через канал (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel leakage
-
14 channel polarity
тип електропровідності каналу (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel polarity
-
15 channel type
тип електропровідності каналу (польового транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > channel type
-
16 collector characteristic
характеристика колектора [вихідна] (транзистора)English-Ukrainian dictionary of microelectronics > collector characteristic
-
17 collector efficiency
коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базою, альфа, αEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > collector efficiency
-
18 collector-to-emitter current gain
коефіцієнт передачі емітерного струму транзистора в схемі із загальною базоюEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > collector-to-emitter current gain
-
19 common-base configuration
схема (включення транзистора) із загальною базоюEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > common-base configuration
-
20 common-base connection
включення транзистора по схемі із загальною базоюEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > common-base connection
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика