рекомбинировать

См. также в других словарях:

• ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… …   Физическая энциклопедия

• РЕКОМБИНАЦИЯ — РЕКОМБИНАЦИЯ, процесс, обратный ионизации, т.е. образование нейтральных частиц из заряженных. Рекомбинация ионов и электронов в газах и плазме образование нейтральных атомов и молекул из свободных электронов и положительных ионов. Рекомбинировать …   Современная энциклопедия

• Молекулярная генетика —         раздел генетики (См. Генетика) и молекулярной биологии (См. Молекулярная биология), ставящий целью познание материальных основ наследственности (См. Наследственность) и изменчивости (См. Изменчивость) живых существ путём исследования… …   Большая советская энциклопедия

• Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

• Радиационные дефекты в кристаллах —         структурные повреждения, образующиеся при облучении кристаллов потоками ядерных частиц и жёстким электромагнитным (гамма и рентгеновским) излучением. Структурные микроповреждения вызывают изменения механических и др. физических свойств… …   Большая советская энциклопедия

• Сайт — (от англ. site местоположение, место)         в генетике, участок Гена, способный независимо от других участков мутировать и рекомбинировать (см. Мутации, Рекомбинация). Минимальный размер С. одна пара нуклеотидов (См. Нуклеотиды) (у вирусов,… …   Большая советская энциклопедия

• Экситон — (от лат. excito возбуждаю)         квазичастица (См. Квазичастицы), представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Представление об …   Большая советская энциклопедия

• ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… …   Физическая энциклопедия

• p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

• ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …   Физическая энциклопедия

• ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… …   Физическая энциклопедия