-
61 нестабильность темнового тока ФЭПП
нестабильность темнового тока ФЭПП
Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению: ΔIT/IT.
Обозначение
ΔIT/IT
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité du courant d’obscurité
144. Нестабильность темнового тока ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient des Dunkelstromes
E. Dark current unstability coefficient
F. Coefficient de l'instabilité du courant d'obscurité
Отношение максимального отклоне ния темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > нестабильность темнового тока ФЭПП
-
62 нестабильность чувствительности ФЭПП
нестабильность чувствительности ФЭПП
Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité de la réponse
145. Нестабильность чувствительности ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient der Empfindlichkeit
E. Response unstability coefficient
F. Coefficient de l'instabilité de la réponse
Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > нестабильность чувствительности ФЭПП
-
63 область спектральной чувствительности ФЭПП
область спектральной чувствительности ФЭПП
Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения.
Обозначение
Δλ
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
87. Область спектральной чувствительности ФЭПП
D. Spektralcr Empfindlichkeitsbereich
E. Spectral sensitivity range
F. Part sensible spectral
Dλ
Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > область спектральной чувствительности ФЭПП
-
64 обнаружительная способность ФЭПП
обнаружительная способность ФЭПП
Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП.
Обозначение
D
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
81. Обнаружительная способность ФЭПП
D. Nachweisfähigkeit
R. Detectivity
F. Détectivité
D
Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обнаружительная способность ФЭПП
-
65 обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.
Обозначение
h’0(X)
Примечание
Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
D. Normierte Umkehrübergangscharacteristik
E. Normalized inverse transfer characteristic
F. Caractéristique de transmission inverse normalisée
h0' (t)
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.
Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
-
66 общий ток ФЭПП
общий ток ФЭПП
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.
Обозначение
Iобщ
Itot
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
60. Общий ток ФЭПП
D. Gesamtstrom
E. Total current
F. Courant total
Iобщ
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток ФЭПП
-
67 общий ток базы фототранзистора
общий ток базы фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ б
Iэобщ б
Iкобщ б
IBB
IBE
IBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
121. Общий ток базы фототранзистора
D. Basisgesamtstrom eines Phototransis-tors
E. Base total current of a phototransistor
F. Courant total de base de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток базы фототранзистора
-
68 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
69 общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iэобщ к
ICE H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
-
70 общий ток коллектора фототранзистора
общий ток коллектора фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ к
Iэобщ к
Iкобщ к
ICB
ICE
ICC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
119. Общий ток коллектора фототранзистора
D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector total current of a phototransistor
F. Courant total du collecteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектора фототранзистора
-
71 общий ток эмиттера фототранзистора
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
-
72 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
одноэлементный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный ФЭПП
D. Einelementphotoempfänger
E. Single-element detector
F. Détecteur à élément unique
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
73 оптическое излучение
оптическое излучение
свет
Электромагнитное излучение с длинами волн, расположенными в диапазоне от 0,1 А до 1 см (оптическом диапазоне).
Примечание. Указанные границы диапазонов длин волн условны, а сами длины волн даны для вакуума.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 79. Физическая оптика. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1970 г.]
оптическое излучение
Электромагнитное излучение (фотоны) с длинами волн от 1 нм до 1 мм.
Примечание
Оптическое излучение состоит из:
а) переходной области рентгеновского излучения (диапазон длин волн от 1 до 100 нм);
б) ультрафиолетового излучения (диапазон длин волн от 100 до 400 нм, в том числе УФ-А - от 315 до 400 нм, УФ-В - от 280 до 315 нм, УФ-С - от 100 до 280 нм; иногда область от 100 до 200 нм обозначают как область вакуумного ультрафиолета - ВУФ);
в) видимого излучения света (диапазон длин волн от 380-400 до 760-780 нм);
г) инфракрасного излучения (диапазон длин волн от 780 нм до 1 мм, в том числе ИК-А - от 780 до 1400 нм, ИК-В - от 1,4 до 3 мкм, ИК-С - от 3 мкм до 1 мм).
[ ГОСТ 25645.321-87]
оптическое излучение
Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5•10-9-10-3 м.
Примечание
В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем
[ ГОСТ 21934-83]
оптическое излучение
Электромагнитное излучение с длинами волн примерно от 1 нм до 1 мм.
Примечание
Оптическая область спектра делится на ультрафиолетовую, видимую и инфракрасную.
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
- физическая оптика
Синонимы
EN
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > оптическое излучение
-
74 относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения.
Обозначение
Sвых(λ)
Srel(λ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
DE
153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie
SОПТ(λ)
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
-
75 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
охлаждаемый ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Охлаждаемый ФЭПП
D. Gekühlter Photoempfänger
E. Cooled detector
F. Photodétecteur refroidi
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
76 переходная нормированная характеристика ФЭПП
переходная нормированная характеристика ФЭПП
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.
Обозначение
h0(t)
Примечание
Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением
В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > переходная нормированная характеристика ФЭПП
-
77 плоский угол зрения ФЭПП
плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
2b
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > плоский угол зрения ФЭПП
-
78 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
подложка ФЭПП
Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Подложка ФЭПП
D. Schichttrager des Photoempfängers
E. Detector-film base
-
Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
79 полевой фототранзистор
полевой фототранзистор
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Photofeldeffekttransistor
E. Field effect phototransistor
F. Phototransistor à effet de champ
-
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полевой фототранзистор
-
80 порог чувствительности ФЭПП
порог чувствительности ФЭПП
порог
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Обозначение
ФП
Фmin
Фλ min
Примечание
Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
78. Порог чувствительности ФЭПП
Порог
D. Äquivalente Rauschleistung
E. Noise equivalent power
F. Puissance équivalente au bruit
Фп
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > порог чувствительности ФЭПП
См. также в других словарях:
полупроводник — полупроводн ик, а … Русский орфографический словарь
ГАННА ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. для усиления и генерирования СВЧ колебаний … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — полупроводн. прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К П. д. относят обширную группу приборов с р n переходом, контактом металл полупроводник и др. Наиб. распространены эл. преобразоват. П. д. Служат для преобразования … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на туннельном эффекте. Применяется преим. в усилителях и генераторах СВЧ колебаний и в импульсных переключающих устройствах. Предложен в 1957 Л … Естествознание. Энциклопедический словарь
ФОТОДИОД — полупроводн. диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на пего оптич. излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислит., измерит. техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в … Естествознание. Энциклопедический словарь
ШОТТКИ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на использовании свойств контакта металл полупроводник; назван по имени В. Шоттки, заложившего в 1938 39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрич. сигналов на частотах до 50… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ИНДИЙ — (лат. Indium), хим. элемент III гр. периодич. системы. Серебристо белый металл, легкоплавкий и очень мягкий; плотн. 7,31 г/см3, tnл 156,78 0С. На воздухе устойчив. В природе рассеян, добывают из сульфидных руд. Компонент легкоплавких сплавов и… … Естествознание. Энциклопедический словарь
НИТРИДЫ — хим. соединения азота с более электроположит. элементами. Н. алюминия, бора, кремния, вольфрама, титана (A1N, BN, Si3N4, W2N, TiN) и мн. др. тугоплавкие, химически стойкие кристаллич. в ва. Компоненты жаропрочных сплавов используются в… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
АЗОТНАЯ КИСЛОТА — HNO3, бесцв. жидкость с резким удушливым запахом; плотн. 1,513 г/см3, tпл 41,59 оС, tкип 82,6 оС. С водой смешивается во всех отношениях. В пром сти получают ката литич. окислением аммиака. Применяют для получения удобрений, нитратов целлюлозы,… … Естествознание. Энциклопедический словарь