-
21 выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения.
Обозначение
Iвых(U)
I0(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Output current-voltage characteristic
F. Caractéristique couranttension de sortie
Iвых (U)
Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
-
22 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
гетеродинный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Гетеродинный ФЭПП
D. Uberlagerungsphotoempfänger
E. Heterodyne detector
F. Détecteur hétérodyne
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
23 динамический диапазон ФЭПП
динамический диапазон ФЭПП
Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
Д
Примечание
Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
141. Динамический диапазон ФЭПП
D. Dynamischer Bereich
E. Dynamic range
F. Gamme dynamique
д
Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.
Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > динамический диапазон ФЭПП
-
24 дифференциальная чувствительность ФЭПП
дифференциальная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
Обозначение
Sд
Sd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП
D. Differentielle EmpfindUchkeit
E. Differential responsivity
F. Réponse différentielle
SД
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальная чувствительность ФЭПП
-
25 дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП.
Обозначение
Rд
Rd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
D. Differentieller electrischer Widerstand
E. Differential electrical resistance
F. Résistance differentielle électrique
Rд
Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
-
26 длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.
Обозначение
λmax
λS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
D. Wellenlänge der maximalen Spektralempfindlichkeit
E. Peak spectral response wavelength
F. Longueur d'onde de la sensibilité spectrale maximale
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
-
27 длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.
Обозначение
λ’’
λS2
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
D. Langwellengrenze
E. Long wavelength limit
λ''
Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
-
28 емкость ФЭПП
емкость ФЭПП
-
Обозначение
C
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
95. Емкость ФЭПП
D. Kapazität
E. Capacitance
F. Capacité
С
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость ФЭПП
-
29 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
иммерсионный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Иммерсионный ФЭПП
D. Immersionsphotoempfänger
E. Immersed detector
F. Détecteur à immersion
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
30 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
иммерсионный элемент ФЭПП
Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Иммерсионный элемент ФЭПП
D. Photoempfängerimmersionselement
E. Detector optical immersion element
F. Elément à immersion du détecteur
-
Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
31 импульсная чувствительность ФЭПП
импульсная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции.
Обозначение
Sимп
Sp
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
74. Импульсная чувствительность ФЭПП
D. Impulsempfindlichkeit
E. Pulse responsivity
F. Réponse d'impulsions
Sимп
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсная чувствительность ФЭПП
-
32 инжекционный фотодиод
инжекционный фотодиод
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Injektionsphotodiode
E. Injection photodiode
F. Photodiode d'injection
-
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > инжекционный фотодиод
-
33 интегральная чувствительность ФЭПП
интегральная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
70. Интегральная чувствительность ФЭПП
D. Gesamtempfindlichkeit
E. Total responsivity
F. Réponse globale
Sинт
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > интегральная чувствительность ФЭПП
-
34 инфракрасное излучение
инфракрасное излучение
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6•10-7-10-3 м
[ ГОСТ 21934-83]
инфракрасное излучение
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне от 0,76 мкм до 1 см.
Примечания.
Указанные границы диапазонов длин волн условны, а сами длины волн даны для вакуума.
Наряду с термином «излучение» пользуются также термином «радиация».
Под термином «излучение» понимается также процесс его возникновения.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 79. Физическая оптика. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1970 г.]
инфракрасное излучение
Оптическое излучение, длины волн монохроматических составляющих которого больше длин волн видимого излучения, но не более 1 мм.
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]
инфракрасное излучение
Инфракрасное излучение — это излучение с длиной волны большей, чем у видимого излучения, поэтому его нельзя увидеть невооруженным глазом. Поскольку инфракрасное излучение можно зафиксировать как тепловое излучение, его можно отобразить на экране или заснять с помощью цифровой видеокамеры, при этом более теплые объекты будут отличаться своей яркостью от более темного холодного окружения (например, человеческое тело на фоне более холодных объектов).
Поскольку цветные камеры способны фиксировать инфракрасное излучение, они оснащены специальным фильтром, ограничивающим пропускание инфракрасных лучей, чтобы избежать заметного глазу нарушения цветовой гаммы. При использовании камеры в очень темных местах или ночью этот фильтр можно снять. Это обеспечит попадание инфракрасных лучей на датчик с последующим преобразованием в видимое изображение.
Инфракрасная лампа может служить источником дополнительного освещения во время ночной съемки, не излучая при этом видимого света.
[ http://www.alltso.ru/publ/glossarij_setevoe_videonabljudenie_terminy/1-1-0-34]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
- системы охраны и безопасности объектов
- физическая оптика
Обобщающие термины
EN
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > инфракрасное излучение
-
35 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
координатный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Координатный ФЭПП
D. Ortsempfindlicher Photoempfänger
E. Position-sensitive detector
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
36 коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.
Обозначение
λ’
λS1
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
D. Kurzwellengrenze
E. Short wavelength limit
λ'
Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
-
37 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
корпус ФЭПП
Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Корпус ФЭПП
D. Photoempfängergehause
E. Photodetector package
F. Boitier du détecteur
-
Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
38 коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.
Обозначение
Ky
Примечание
Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
D. Relativer Verstärkungsfaktor
E. Relative gain
F. Gainrelatif
KY
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.
Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
-
39 коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода
коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода
Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях.
Обозначение
Mт
Md
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- facteur de multiplication de courant d’obscurité de photodiode à avalanche
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода
-
40 коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
Обозначение
Mф
Mph
Примечание
Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
D. Pnotostromvervielfachungsfaktor
E. Photocurrent multiplication factor
F. Facteur de multiplication de photocourant
МФ
Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
См. также в других словарях:
полупроводник — полупроводн ик, а … Русский орфографический словарь
ГАННА ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. для усиления и генерирования СВЧ колебаний … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — полупроводн. прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К П. д. относят обширную группу приборов с р n переходом, контактом металл полупроводник и др. Наиб. распространены эл. преобразоват. П. д. Служат для преобразования … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на туннельном эффекте. Применяется преим. в усилителях и генераторах СВЧ колебаний и в импульсных переключающих устройствах. Предложен в 1957 Л … Естествознание. Энциклопедический словарь
ФОТОДИОД — полупроводн. диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на пего оптич. излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислит., измерит. техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в … Естествознание. Энциклопедический словарь
ШОТТКИ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на использовании свойств контакта металл полупроводник; назван по имени В. Шоттки, заложившего в 1938 39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрич. сигналов на частотах до 50… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ИНДИЙ — (лат. Indium), хим. элемент III гр. периодич. системы. Серебристо белый металл, легкоплавкий и очень мягкий; плотн. 7,31 г/см3, tnл 156,78 0С. На воздухе устойчив. В природе рассеян, добывают из сульфидных руд. Компонент легкоплавких сплавов и… … Естествознание. Энциклопедический словарь
НИТРИДЫ — хим. соединения азота с более электроположит. элементами. Н. алюминия, бора, кремния, вольфрама, титана (A1N, BN, Si3N4, W2N, TiN) и мн. др. тугоплавкие, химически стойкие кристаллич. в ва. Компоненты жаропрочных сплавов используются в… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
АЗОТНАЯ КИСЛОТА — HNO3, бесцв. жидкость с резким удушливым запахом; плотн. 1,513 г/см3, tпл 41,59 оС, tкип 82,6 оС. С водой смешивается во всех отношениях. В пром сти получают ката литич. окислением аммиака. Применяют для получения удобрений, нитратов целлюлозы,… … Естествознание. Энциклопедический словарь