-
1 абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.
Обозначение
Sабс(λ)
Sabs(λ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Absolute spektrale Empfrndlichkeitskennlinie
E. Absolute spectral-response characteristic
F. Caractéristique de sensibilité spectrale absolue
Sабс(λ)
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
-
2 апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
апертурная диафрагма ФЭПП
Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Апертурная диафрагма ФЭПП
D. Aperturblende des Photoempfängers
E. Detector aperture stop
F. Diaphragme d'ouverture du détecteur
-
Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
3 биполярный фототранзистор
биполярный фототранзистор
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Bipolarphototransistor
E. Bipolar phototransistor
F. Phototransistor bipolaire
-
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > биполярный фототранзистор
-
4 видимое излучение
видимое излучение
видимый свет
свет
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне от 0,40 до 0,76 мкм.
Примечания.
Термин «свет» имеет два значения: более широкое (оптическое излучение) и более узкое (видимое излучение). Такая неоднозначность термина отражает сложившееся положение в оптике.
Указанные границы диапазонов длин волн условны, а сами длины волн даны для вакуума.
Наряду с термином «излучение» пользуются также термином «радиация».
Под термином «излучение» понимается также процесс его возникновения.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 79. Физическая оптика. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1970 г.]
видимое излучение
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4•10-7-7,6•10-7 м
[ ГОСТ 21934-83]
видимое излучение
свет
Оптическое излучение, которое, попадая на сетчатую оболочку глаза, может вызвать зрительное ощущение (ощущение превращения энергии внешнего раздражителя в факт сознания). Видимое излучение имеет длины волн монохроматических составляющих в пределах 380-780 нм.
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
- физическая оптика
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > видимое излучение
-
5 вольт-амперная характеристика ФЭПП
вольт-амперная характеристика ФЭПП
Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.
Обозначение
I(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольт-амперная характеристика ФЭПП
-
6 вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
- Betriebsspannungsabhängigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode
вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему.
Обозначение
MT(U)
Mф(U)
Md(U)
Mph(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
- Betriebsspannungsabhängigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode
161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
D. Betriebsspannungsabhängigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode
E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode
MT(U), MФ(U)
Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
-
7 вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП
вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП
Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.
Обозначение
Mш(U)
Mn(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Rauschspannung
E. Bias noise voltage characteristic
UШ (U)
Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП
-
8 вольтовая характеристика тока шума ФЭПП
вольтовая характеристика тока шума ФЭПП
Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.
Обозначение
Iш(U)
In(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit des Rauschstromes
E. Bias noise current characteristic
IШ (U)
Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая характеристика тока шума ФЭПП
-
9 вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему.
Обозначение
D*(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Nachweisfähigkeit
E. Bias detectivity characteristic
D* (U)
Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
-
10 вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП
вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.
Обозначение
S(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Empfindlichkeit
E. Bias voltage response characteristic
S (U)
Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП
-
11 вольтовая чувствительность ФЭПП
вольтовая чувствительность ФЭПП
-
Обозначение
Su
Sv
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
69. Вольтовая чувствительность ФЭПП
D. Spannungsempfindlichkeit
E. Voltage responsivity
F. Réponse en tension
su
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая чувствительность ФЭПП
-
12 вольтовая чувствительность фототранзистора
вольтовая чувствительность фототранзистора
Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.
Обозначение
hэ13
hб13
hк13
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
125. Вольтовая чувствительность фототранзистора
D. SpannungsempfmdUchkeit eines Phototransistors
E. Voltage responsivity of the phototransistor
F. Réponse en tension du phototransistor
Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вольтовая чувствительность фототранзистора
-
13 временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода
временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода
дрейф нуля
Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени.
Обозначение
X0(t)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода
Дрейф нуля
D. Nullpunktdrift
E. Zero drift
x0 (t)
Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода
-
14 время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня.
Обозначение
tраб авт
ti nd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- durée d’opération autonome
150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
D. Unabhängige Betriebszeit
E. Independent operating time
F. Durée d'opération autonome
Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
-
15 время нарастания ФЭПП
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания ФЭПП
-
16 время спада ФЭПП
- Abfallzeit der normierter Umkehrübergangskennlinie
- Abfallzeit der normierter Umkehrübergangskennhnie
время спада ФЭПП
время спада
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,9-0,1
tf
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
92. Время спада ФЭПП
Время спада
D. Abfallzeit der normierter Umkehrübergangskennhnie
E. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic
F. Temps de descente de caractéristique de transmission inverse normalisée
t0,9 - 0,1
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время спада ФЭПП
-
17 время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k
время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k
время установления
Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h0(t) от установившегося значения не превышает k: |1-h0(t)|≤k при t≥ туст k.
Обозначение
туст k
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
- temps d’établissement caractéristique de transmission normalisée
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k
-
18 входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения.
Обозначение
Iвх(U)
Im(U)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- caractéristique couranttension d’entrée
155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Input current-voltage characteristic
F. Caractéristique couranttension d'entrée
Iвх (U)
Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
-
19 входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
входное окно ФЭПП
Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Входное окно ФЭПП
D. Photoempfängereingangsfenster
E. Detector window
F. Fenétre du détecteur
-
Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
20 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
вывод ФЭПП
Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Вывод ФЭПП
D. Photoempfängeranschluss
E. Detector terminal
F. Branchement du détecteur
-
Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
См. также в других словарях:
полупроводник — полупроводн ик, а … Русский орфографический словарь
ГАННА ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. для усиления и генерирования СВЧ колебаний … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — полупроводн. прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К П. д. относят обширную группу приборов с р n переходом, контактом металл полупроводник и др. Наиб. распространены эл. преобразоват. П. д. Служат для преобразования … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на туннельном эффекте. Применяется преим. в усилителях и генераторах СВЧ колебаний и в импульсных переключающих устройствах. Предложен в 1957 Л … Естествознание. Энциклопедический словарь
ФОТОДИОД — полупроводн. диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на пего оптич. излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислит., измерит. техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в … Естествознание. Энциклопедический словарь
ШОТТКИ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на использовании свойств контакта металл полупроводник; назван по имени В. Шоттки, заложившего в 1938 39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрич. сигналов на частотах до 50… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ИНДИЙ — (лат. Indium), хим. элемент III гр. периодич. системы. Серебристо белый металл, легкоплавкий и очень мягкий; плотн. 7,31 г/см3, tnл 156,78 0С. На воздухе устойчив. В природе рассеян, добывают из сульфидных руд. Компонент легкоплавких сплавов и… … Естествознание. Энциклопедический словарь
НИТРИДЫ — хим. соединения азота с более электроположит. элементами. Н. алюминия, бора, кремния, вольфрама, титана (A1N, BN, Si3N4, W2N, TiN) и мн. др. тугоплавкие, химически стойкие кристаллич. в ва. Компоненты жаропрочных сплавов используются в… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
АЗОТНАЯ КИСЛОТА — HNO3, бесцв. жидкость с резким удушливым запахом; плотн. 1,513 г/см3, tпл 41,59 оС, tкип 82,6 оС. С водой смешивается во всех отношениях. В пром сти получают ката литич. окислением аммиака. Применяют для получения удобрений, нитратов целлюлозы,… … Естествознание. Энциклопедический словарь