-
41 коэффициент усиления инжекционного фотодиода
коэффициент усиления инжекционного фотодиода
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме.
Обозначение
K
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления инжекционного фотодиода
-
42 коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме.
Обозначение
Kуф
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
D. Photostromverstärkungsfaktor
E. Photocurrent gain factor
F. Gain de photocourant
KУФ
Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
-
43 коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики.
Обозначение
Kфс
КС
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor
E. Photoelectric coupling coefficient
F. Coefficient de couplage photoélectrique
Кфс
необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
-
44 лавинный режим работы фотодиода
лавинный режим работы фотодиода
Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
33. Лавинный режим работы фотодиода
D. Trägerlawinenzustand der Photodiode
E. Avalanche mode of photodiode operation
-
Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > лавинный режим работы фотодиода
-
45 лавинный фотодиод
лавинный фотодиод
Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Lawinenphotodiode
E. Avalanche photodiode
F. Photodiode à avalanche
-
Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > лавинный фотодиод
-
46 люкс-амперная характеристика ФЭПП
люкс-амперная характеристика ФЭПП
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП.
Обозначение
Iф(E)
Iph(E)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП
D. Abhängigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstärke
E. Photocurrent-Illuminance characteristic
IФ (E)
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > люкс-амперная характеристика ФЭПП
-
47 люксомическая характеристика фоторезистора
люксомическая характеристика фоторезистора
Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор.
Обозначение
RE(E)
RH(E)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
165. Люксомическая характеристика фоторезистора
D. Abhängigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstärke
E. Resistance-Illuminance characteristic
RE (E)
Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > люксомическая характеристика фоторезистора
-
48 максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
Обозначение
Pmax
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
D. Maximal zulässige Verlustleistung
E. Maximum admissible power dissipation
F. Puissance dissipée maximale admissible
Рmax
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
-
49 максимально допустимое напряжение ФЭПП
максимально допустимое напряжение ФЭПП
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.
Обозначение
Umax
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП
D. Maximal zulässige Spannung
E. Maximum admissible voltage
F. Tension maximale admissible
Umax
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение ФЭПП
-
50 межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП.
Обозначение
Δl
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
D. Fühlelementenabstand
E. Element spacing
F. Espacement des éléments
Dl
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
-
51 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
многоспектральный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
52 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
многоэлементный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.
Примечание
Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Многоэлементный ФЭПП
D. Vielelementphotoempfänger
E. Multi-element detector
F. Détecteur multiple
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.
Примечание. Допускается применять термин «двух-, трех-, четырехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
53 наклон люксомической характеристики фоторезистора
наклон люксомической характеристики фоторезистора
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
Обозначение
у
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора
D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie
E. ffluminance-resistance characteristique slope
F. Pente de caractéristique éclairementrésistance
γ
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > наклон люксомической характеристики фоторезистора
-
54 напряжение на базе фототранзистора
напряжение на базе фототранзистора
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uэб
Uкб
UBE
UBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
104. Напряжение на базе фототранзистора
D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UBC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на базе фототранзистора
-
55 напряжение на коллекторе фототранзистора
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на коллекторе фототранзистора
-
56 напряжение на эмиттере фототранзистора
напряжение на эмиттере фототранзистора
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбэ
Uкэ
UEB
UEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- tension d’émetteur
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter voltage
F. Tension d'émetteur
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UEC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на эмиттере фототранзистора
-
57 напряжение фотосигнала ФЭПП
напряжение фотосигнала ФЭПП
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
Uc
US
Примечание
Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
61. Напряжение фотосигнала ФЭПП
D. Photosignalspannung
E. Photoelectric signal voltage
F. Tension de signal photoélectrique
uc
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение фотосигнала ФЭПП
-
58 напряжение шума ФЭПП
напряжение шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
UШ
Un
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
Uш
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение шума ФЭПП
-
59 неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S(x,y), измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
D. Flächenungleichmässigkeit der Empfindlichkeit
E. Spacing response non-uniformity
F. Non-uniformité de la réponse spatiale
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
-
60 нестабильность сопротивления ФЭПП
нестабильность сопротивления ФЭПП
Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению .
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité de résistance
143. Нестабильность сопротивления ФЭПП
D. Instabilitätskoefiizient des Widerstandes
E. Resistance unstability coefficient
F. Coefficient de 1'instabilité de résistance
Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > нестабильность сопротивления ФЭПП
См. также в других словарях:
полупроводник — полупроводн ик, а … Русский орфографический словарь
ГАННА ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. для усиления и генерирования СВЧ колебаний … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — полупроводн. прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К П. д. относят обширную группу приборов с р n переходом, контактом металл полупроводник и др. Наиб. распространены эл. преобразоват. П. д. Служат для преобразования … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на туннельном эффекте. Применяется преим. в усилителях и генераторах СВЧ колебаний и в импульсных переключающих устройствах. Предложен в 1957 Л … Естествознание. Энциклопедический словарь
ФОТОДИОД — полупроводн. диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на пего оптич. излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислит., измерит. техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в … Естествознание. Энциклопедический словарь
ШОТТКИ ДИОД — полупроводн. диод, действие к рого основано на использовании свойств контакта металл полупроводник; назван по имени В. Шоттки, заложившего в 1938 39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрич. сигналов на частотах до 50… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ИНДИЙ — (лат. Indium), хим. элемент III гр. периодич. системы. Серебристо белый металл, легкоплавкий и очень мягкий; плотн. 7,31 г/см3, tnл 156,78 0С. На воздухе устойчив. В природе рассеян, добывают из сульфидных руд. Компонент легкоплавких сплавов и… … Естествознание. Энциклопедический словарь
НИТРИДЫ — хим. соединения азота с более электроположит. элементами. Н. алюминия, бора, кремния, вольфрама, титана (A1N, BN, Si3N4, W2N, TiN) и мн. др. тугоплавкие, химически стойкие кристаллич. в ва. Компоненты жаропрочных сплавов используются в… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
АЗОТНАЯ КИСЛОТА — HNO3, бесцв. жидкость с резким удушливым запахом; плотн. 1,513 г/см3, tпл 41,59 оС, tкип 82,6 оС. С водой смешивается во всех отношениях. В пром сти получают ката литич. окислением аммиака. Применяют для получения удобрений, нитратов целлюлозы,… … Естествознание. Энциклопедический словарь