-
41 общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общая емкость полупроводникового излучателя
-
42 оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > оптическая ось полупроводникового излучателя
-
43 пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток высокого уровня
I1пор
IH(TO)
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
Пороговый входной ток высокого уровня
High-level threshold input current
I1пор
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
-
44 пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя
пороговый входной ток низкого уровня.
I0пор
IL(TO)
Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
78. Пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя
Пороговый входной ток низкого уровня
Low-level threshold input current
I0пор
Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя
-
45 постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
Uобр
UR
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное обратное напряжение
Reverse continuous voltage
Uобр
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
-
46 постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток
Iобр
IR
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
Постоянный обратный ток
Reverse continuous current
Iобр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
-
47 постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток
Iпр
IF
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
Постоянный прямой ток
Continuous (direct) forward current
Iпр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
-
48 световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое сопротивление
Rвых.св
RЕ, RH
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары
Световое сопротивление
Resistance under illumination
Rвых.св
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > световое выходное сопротивление резисторной оптопары
-
49 скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
dUз.с/dt
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
Rate of rise of state voltage
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
-
50 темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое сопротивление
Rвых.т
Ro
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
Темновое сопротивление
Dark resistance
Rвых.т
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
-
51 температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения
αUпр
αUF
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
Температурный коэффициент прямого напряжения
Forward voltage temperature coefficient
αUпр
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
-
52 тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление
Rпер-кор
Rth-ja
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
Тепловое сопротивление
Total thermal resistance
Rпер-кор
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
-
53 ток включения тиристорной оптопары
ток включения тиристорной оптопары
ток включения
Iвкл
Ion
Входной ток тиристорной оптопары обеспечивающий включение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
56. Ток включения тиристорной оптопары
Ток включения
Turn-on current
Iвкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий включение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток включения тиристорной оптопары
-
54 ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения
Iвыкл
Ioff
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
57. Ток выключения тиристорной оптопары
Ток выключения
Turn-off current
Iвыкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток выключения тиристорной оптопары
-
55 ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
I1пот
ICCH
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
EN
79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
Current consumption at high-level of output voltage
I1пот
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
-
56 ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
I0пот
ICCL
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
EN
80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
Current consumption at low-level of output voltage
I0пот
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
-
57 ток удержания тиристорной оптопары
ток удержания тиристорной оптопары
ток удержания
Iуд
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
58. Ток удержания тиристорной оптопары
Ток удержания
Holding current
Iуд
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток удержания тиристорной оптопары
-
58 ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
ток утечки
Iут.вых
Is
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Ток утечки
Leakage current
Iут.вых
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
59 угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения
е
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
6. Угол излучения полупроводникового излучателя
Угол излучения
Half-intensity beam
Θ
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > угол излучения полупроводникового излучателя
-
60 угол расхождения
угол расхождения
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
12. Угол расхождения
Squinting angle
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > угол расхождения
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия