-
1 полупроводниковые приборы
Makarov: semi-conductor devicesУниверсальный русско-английский словарь > полупроводниковые приборы
-
2 p-канальные кремниевые полупроводниковые приборы
Engineering: p-channel silicon gate devicesУниверсальный русско-английский словарь > p-канальные кремниевые полупроводниковые приборы
-
3 детектор радиозакладок, содержащих полупроводниковые приборы с нелинейными переходами
Security: NLJ detector, nonlinear junction detectorУниверсальный русско-английский словарь > детектор радиозакладок, содержащих полупроводниковые приборы с нелинейными переходами
-
4 перспективные цифровые биполярные полупроводниковые приборы
Engineering: advanced digital bipolarУниверсальный русско-английский словарь > перспективные цифровые биполярные полупроводниковые приборы
-
5 время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
tвкл
ton
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время включения
Turn-on time
tвкл
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
6 время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
tвыкл
toff
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время выключения
Turn-off time
tвыкл
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
7 время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки включения оптоэлектронного переключателя
-
8 время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
9 время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
-
10 время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
11 время перехода при включении оптоэлектронного переключателя
время перехода при включении оптоэлектронного переключателя
время перехода при включении
t1,0
tTHL
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
87. Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя
Время перехода при включении
Turn-on transition time
t1,0
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время перехода при включении оптоэлектронного переключателя
-
12 время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя
время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя
время перехода при выключении
t0,1
tTLH
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
88. Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя
Время перехода при выключении
Turn-off transition time
t0,1
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя
-
13 время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
14 время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
-
15 входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
входной ток
Iвх
II, IF
Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя).
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
38. Входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Входной ток
Input current
Iвх
Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
-
16 выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
Свых
CO
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя
Выходная емкость
Output capacitance
Свых
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная емкость оптоэлектронного переключателя
-
17 выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя
выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя
выходное напряжение высокого уровня
U1вых
UOH
-
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
72. Выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя
Выходное напряжение высокого уровня
High-level output voltage
U1вы.
-
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя
-
18 выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя
выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя
выходное напряжение низкого уровня
U0вых
UOL
-
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
73. Выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя
Выходное напряжение низкого уровня
Low-level output voltage
U 0вых
-
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя
-
19 выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
выходное остаточное напряжение
Uвых.ост
UOO
Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
43. Выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Выходное остаточное напряжение
Output rest voltage
Uвых.ост
Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
-
20 выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
выходной ток высокого уровня
I1вых
IOH
Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
75. Выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
Выходной ток высокого уровня
High-level output current
I1вы.
Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия