-
1 оксид полупроводника
Большой англо-русский и русско-английский словарь > оксид полупроводника
-
2 оксид полупроводника
Англо-русский словарь технических терминов > оксид полупроводника
-
3 примесные свойства
( полупроводника) extrinsic propertiesАнгло-русский словарь технических терминов > примесные свойства
-
4 собственные свойства
( полупроводника) intrinsic propertiesАнгло-русский словарь технических терминов > собственные свойства
-
5 barrier jump
2) Полупроводники: скачок потенциала (в граничном слое) -
6 doping
['dəʊpɪŋ]1) Общая лексика: антидетонационная присадка, аэролак, болван, густая смазка, дурман, идиот, информация, лак, ложные сведения, надувательство, опиум, поглотитель, подмешивание, разбавление2) Авиация: вводящий добавку, покрытие аэролаком, пропитка3) Техника: введение добавок, наложение защитных покрытий, обмазывание, покрытие лаком, покрытие эмалью4) Химия: смазывающий5) Железнодорожный термин: делать непроницаемым, добавление присадок к маслам, добавление присадок к топливу6) Автомобильный термин: добавление присадок, прибавление к топливу антидетонационных присадок7) Лесоводство: нанесение защитных покрытий8) Психология: применение допинга9) Физика: легирование полупроводника10) Электроника: введение примеси, допирование (полупроводника)12) Микроэлектроника: легирующий13) Полупроводники: добавление примеси14) Макаров: возбуждающий препарат, допинг, стимулирующий препарат, легирование (напр. полупроводников), легирование (полупроводников), (of catalyst) допирование (КТ) -
7 extrinsic properties
1) Техника: внешние свойства, примесные свойства (полупроводника) -
8 extrinsic semiconductor properties
1) Электроника: примесные свойства полупроводника2) Макаров: примесный свойства полупроводникаУниверсальный англо-русский словарь > extrinsic semiconductor properties
-
9 ramp assisted foil casting technique
2) Солнечная энергия: метод вытягивания ленты полупроводника с использованием опорной стенкиУниверсальный англо-русский словарь > ramp assisted foil casting technique
-
10 Bandstruktur
сущ.1) геол. полосатая структура, полосатая текстура, полосчатая структура, полосчатая текстура, слоистая структура, слоистая текстура2) текст. полосатая структура ткани, структура ленты3) электр. зонная структура (полупроводника), зонная структура (полупроводника), зонная структура4) сил. ленточная структура5) микроэл. структура зон -
11 Reinheitsgrad
сущ.1) общ. степень чистоты2) геол. степень чистоты (в отношении примесей)3) радио. степень чистоты (напр., полупроводника)4) электр. степень чистоты (полупроводника)5) пищ. доброкачественность6) свар. степень чистоты газа, степень чистоты (газа)7) микроэл. чистота8) сахар. степень доброкачественности9) гидравл. класс чистоты10) судостр. степень содержания примесей, степень очистки (напр. воздуха)11) кинотех. чистота цвета, колориметрическая чистота, степень чистоты (фотохимиката) -
12 couche d'inversion
инверсионный слой
—
[ http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]EN
inversion layer
The atmosphere layer through which an inversion occurs. (Source: MGH)
[http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]Тематики
EN
DE
FR
инверсный слой
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > couche d'inversion
-
13 photodiode
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > photodiode
-
14 Inversionsschicht
инверсионный слой
—
[ http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]EN
inversion layer
The atmosphere layer through which an inversion occurs. (Source: MGH)
[http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]Тематики
EN
DE
FR
инверсный слой
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Inversionsschicht
-
15 Photodiode
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Photodiode
-
16 Schottky-Photodiode
фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
13. Фотодиод с барьером Шоттки
D. Schottky-Photodiode
E. Schottky-Barrier-Photodiode
-
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Schottky-Photodiode
-
17 inversion layer
инверсионный слой
—
[ http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]EN
inversion layer
The atmosphere layer through which an inversion occurs. (Source: MGH)
[http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]Тематики
EN
DE
FR
инверсный слой
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
обращенный слой
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > inversion layer
-
18 semiconductor switching device
полупроводниковое коммутационное устройство
-
[IEV number 442-04-19]EN
semiconductor switching device
a switching device designed to make or break the current in an electric circuit by means of the controlled conductivity of a semiconductor in that circuit
NOTE – In a circuit where the current passes through zero (periodically or otherwise) the effect of "not making" the current following such a zero value is equivalent to breaking the current.
[IEV number 442-04-19]FR
dispositif de coupure à semiconducteur
dispositif de coupure conçu pour établir ou couper le courant dans un circuit électrique au moyen de la conductivité contrôlée d'un semiconducteur dans ce circuit
NOTE – Dans un circuit où le courant passe par zéro (périodiquement ou autrement), le fait de ne pas rétablir le courant après un tel passage à zéro est équivalent à la coupure du courant.
[IEV number 442-04-19]Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
EN
DE
FR
полупроводниковый коммутационный аппарат
Коммутационный аппарат, предназначенный для включения и/или отключения тока в электрической цепи в результате воздействия на регулируемую проводимость полупроводника.
Примечание. Определение отличается от формулировки МЭК 60050(441-14-03), так как полупроводниковый коммутационный аппарат рассчитан также на отключение тока.
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]EN
semiconductor switching device
a switching device designed to make the current in an electric circuit by means of the controlled conductivity of a semiconductor
[IEV number 441-14-03]FR
appareil de connexion à semiconducteur
appareil de connexion conçu pour établir le courant dans un circuit électrique au moyen de la commande de la conductivité d'un semiconducteur
[IEV number 441-14-03]Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
EN
DE
FR
3.2.3 полупроводниковое коммутационное устройство (semiconductor switching device): Коммутационное устройство, созданное для включения и/или отключения тока в электрической цепи в результате воздействия на регулируемую проводимость полупроводника.
Примечание - Определение отличается от МЭК 60050(441-14-03) тем, что полупроводниковый прибор, использованный в полупроводниковом коммутационном устройстве, рассчитан также на отключение тока.
Источник: ГОСТ Р 51731-2010: Контакторы электромеханические бытового и аналогичного назначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > semiconductor switching device
-
19 photodiode
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photodiode
-
20 Schottky-Barrier-Photodiode
фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
13. Фотодиод с барьером Шоттки
D. Schottky-Photodiode
E. Schottky-Barrier-Photodiode
-
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Schottky-Barrier-Photodiode
См. также в других словарях:
валентная зона полупроводника — валентная зона Верхняя из заполненных зон полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы валентная зона … Справочник технического переводчика
демаркационный уровень полупроводника — демаркационный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
заполненная зона полупроводника — заполненная зона Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы заполненная зона … Справочник технического переводчика
захват носителя заряда полупроводника — захват носителя Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы захват носителя … Справочник технического переводчика
зона проводимости полупроводника — зона проводимости Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы зона проводимости … Справочник технического переводчика
инверсионный слой полупроводника — инверсионный слой Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы инверсионный слой … Справочник технического переводчика
концентрация вырождения полупроводника — концентрация вырождения Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы концентрация вырождения … Справочник технического переводчика
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… … Справочник технического переводчика
локальный энергетический уровень полупроводника — локальный уровень Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы… … Справочник технического переводчика
межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — межзонная рекомбинация Ндп. прямая рекомбинация Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые, нерекомендуемые прямая рекомбинация Тематики… … Справочник технического переводчика