-
81 blocking layer
Большой англо-русский и русско-английский словарь > blocking layer
-
82 burnout power
Большой англо-русский и русско-английский словарь > burnout power
-
83 charge center
Большой англо-русский и русско-английский словарь > charge center
-
84 crowding effect
1. эффект шнурования( тока)
2. эффект уплотнения( носителей в полупроводниках)
3. вчт набегание( битов или знаков)Большой англо-русский и русско-английский словарь > crowding effect
-
85 defect center
Большой англо-русский и русско-английский словарь > defect center
-
86 ovonic memory
ЗУ на аморфных полупроводниках, ЗУ на элементах ОвшинскогоБольшой англо-русский и русско-английский словарь > ovonic memory
-
87 transport coefficient
Большой англо-русский и русско-английский словарь > transport coefficient
-
88 ovonics
[əʋʹvɒnıks] n -
89 jonction
f1) соединение; стык; шов; сопряжение; примыкание(point de) jonction — место соединенияles troupes ont opéré leur jonction — войска соединилисьjonction des instances, jonction des causes юр. — соединение делjonction de voies ж.-д. — пересечение путейà la jonction de... — на месте соединения чего-либо2) железнодорожный узел; перекрёсток ( дорог); слияние ( рек); ж.-д. съезд3) эл. муфта4) эл. электронно-дырочный переход ( в полупроводниках)5) вчт. интерфейс6) косм. стыковка -
90 poison
1. m1) яд, отрава3) хим., физ. ингибитор; поглотитель ( нейтронов); гаситель ( люминесценции); отравляющая примесь ( в полупроводниках)7) разг. бесёнок ( о ребёнке)2. adj invar разг. -
91 estrinseco
(pl -ci) agg1) внешний, наружныйprova estrinseca — формальный довод2) кажущийся, показной, поверхностный3) спец. примесный ( о полупроводниках)•Syn:Ant: -
92 transistorizzare
-
93 transistorizzato
aggтранзисторный, на транзисторах, на полупроводниках -
94 estrinseco
estrìnseco (pl -ci) agg 1) внешний, наружный forza estrinseca -- внешняя сила prova estrinseca -- формальный довод cause estrinseche -- внешние причины 2) кажущийся, показной, поверхностный 3) t.sp примесный (о полупроводниках) -
95 transistore
-
96 transistorizzare
-
97 transistorizzato
transistorizzato agg транзисторный, на транзисторах, на полупроводниках -
98 estrinseco
estrìnseco (pl - ci) agg 1) внешний, наружный forza estrinseca — внешняя сила prova estrinseca — формальный довод cause estrinseche — внешние причины 2) кажущийся, показной, поверхностный 3) t.sp примесный ( о полупроводниках) -
99 transistor
-
100 transistore
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия