максимально

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов.
Обозначение
P_иmax
P_Mmax
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ max}
U_{СE max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-emitter (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-émetteur maximale

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-émetteur maximale

U_{КЭ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
-
Обозначение
P_{К max}
P_{С max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector power dissipation (d.c.)

DE

• maximal zulässige Kollektorverlustleistung

FR

• puissance dissipée au collecteur (continue) maximale

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung

E. Maximum collector power dissipation (d.c.)

F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale

Р_{К max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ, max}
U_{СEM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-emitter voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-émetteur maximale

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale

U_{КЭ, и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ max}
U_{СB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-base maximale

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

U_{КБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
U_{ЭБ max}
U_{EB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum emitter-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

FR

• tension continue émetteur-base maximale

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue émetteur-base maximale

I_{ЭБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ,и max}
U_{СBM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-base voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-base maximale

максимально допустимый импульсный ток коллектора
-
Обозначение
I_{К,и max}
I_CMmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector current

DE

• maximal zulässige Kollektorimpulsstrom

FR

• courant de crête de collecteur maximal

максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
I_{Э,и max}
I_{EM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak emitter current

DE

• maximal zulässige Emitterimpulsstrom

FR

• courant de crête d'émetteur maximal

максимально допустимый постоянный ток базы
-
Обозначение
I_Бmax
I_Bmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum base (d.с.) current

DE

• maximal zulässige Basisgleichstrom

FR

• courant continu de base maximal

максимально допустимый постоянный ток коллектора
-
Обозначение
I_Кmax
I_Cmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector (d.с.) current

DE

• maximal zulässige Kollektorgleichstrom

FR

• courant continu de collecteur maximal

максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
Обозначение
I_Эmax
I_Emax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum emitter (d.с.) current

DE

• maximal zulässige Emittergleichstrom

FR

• courant continu d'émetteur maximal

максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
Обозначение
P_max
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• maximum admissible power dissipation

DE

• maximal zulässige Verlustleistung

FR

• puissance dissipée maximale admissible

139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Maximal zulässige Verlustleistung

E. Maximum admissible power dissipation

F. Puissance dissipée maximale admissible

Р_max

Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

максимально допустимое напряжение ФЭПП
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.
Обозначение
U_max
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• maximum admissible voltage

DE

• maximal zulässige Spannung

FR

• tension maximale admissible

51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП

D. Maximal zulässige Spannung

E. Maximum admissible voltage

F. Tension maximale admissible

U_max

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

максимально допустимое напряжение сток-исток
-
Обозначение
U_СИmax
U_DSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum drain-source-voltage

DE

• maximal zulässige Drain-Source-Spannung

FR

• tension maximale drain-source

максимально допустимая концентрация
—
[ http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]

EN

maximum admissible concentration
The maximum exposure to a physical or chemical agent allowed in an 8-hour work day to prevent disease or injury. (Source: KOREN)
[http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]

Тематики

• охрана окружающей среды

EN

• maximum admissible concentration

DE

• MAK-Wert

FR

• concentration maximale admissible

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
-
Обозначение
P_max
P_DSmax
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• power dissipation

DE

• maximal zulässige Dauerverlustleistung

FR

• dissipation de puissance