-
1 коэффициент насыщения биполярного транзистора
коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. степень насыщения
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения.
Обозначение
Kнас
Ksat
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
FR
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. Степень насыщения
E. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
Кнас
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент насыщения биполярного транзистора
-
2 индукция технического насыщения
индукция технического насыщения
индукция насыщения
Значение индукции магнитного материала, определяемое экстраполяцией из области напряженностей магнитных полей, соответствующих намагниченности технического насыщения, к нулевому значению напряженности поля.
[ ГОСТ 19693-74]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > индукция технического насыщения
-
3 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
4 напряжение насыщения коллектор-эмиттер
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UКЭнас
UСEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation collector-emitter voltage
F. Tension de saturation collecteur-émetteur
UКЭнас
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-
5 намагниченность технического насыщения
намагниченность технического насыщения
намагниченность насыщения
Намагниченность магнитного материала, подвергнутого воздействию такого внешнего магнитного поля, при увеличении напряженности которого намагниченность не может быть существенно повышена.
[ ГОСТ 19693-74]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > намагниченность технического насыщения
-
6 магнитодвижущая сила насыщения магнитоуправляемого контакта
магнитодвижущая сила насыщения магнитоуправляемого контакта
Значение магнитодвижущей силы управляющего магнитного поля, при котором происходит насыщение магнитной цепи магнитоуправляемого контакта
[ ГОСТ 17499-82]EN
FR
Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > магнитодвижущая сила насыщения магнитоуправляемого контакта
-
7 магнитострикция насыщения
магнитострикция насыщения
Значение продольной магнитострикции, когда намагниченность в магнитном материале достигает технического насыщения.
[ ГОСТ 19693-74]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > магнитострикция насыщения
-
8 максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения
максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения
-
Обозначение
IБ нас max
IB sat max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения
E. Maximum saturation base current
F. Courant de saturation base maximal
IБ нас max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения
-
9 максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения
максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения
-
Обозначение
IК нас max
IC sat max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения
E. Maximum saturation collector current
F. Courant de saturation collecteur maximal
IК нас max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения
-
10 напряжение насыщения фотоэлемента
напряжение насыщения фотоэлемента
Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
FR
20. Напряжение насыщения фотоэлемента
D. Sättigungsspannung der Photozelle
E. Saturation voltage of photocell
F. Tension de saturation de photocellule
Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения фотоэлемента
-
11 постоянный ток базы в режиме насыщения
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения
E. Saturation base current
F. Courant de saturation base
IБнас
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный ток базы в режиме насыщения
-
12 постоянный ток коллектора в режиме насыщения
постоянный ток коллектора в режиме насыщения
-
Обозначение
IКнас
ICsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения
E. Saturation collector current
F. Courant de saturation collecteur
IKнас
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный ток коллектора в режиме насыщения
-
13 предел насыщения клеточных стенок
предел насыщения клеточных стенок
Максимальная влажность клеточных стенок свежесрубленной или выдержанной в воде древесины; характеризуется равновесием между влажностью клеточных стенок и свободной водой в полостях клеток.
[ ГОСТ 23431-79]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
34. Предел насыщения клеточных стенок
Е. Fiber saturation point
F. Limite de saturation des parois cellulaires
Максимальная влажность клеточных стенок свежесрубленной или выдержанной в воде древесины; характеризуется равновесием между влажностью клеточных стенок и свободной водой в полостях клеток
Источник: ГОСТ 23431-79: Древесина. Строение и физико-механические свойства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > предел насыщения клеточных стенок
-
14 ток насыщения токовой камеры
ток насыщения токовой камеры
Ток в цепи собирающего электрода токовой камеры, соответствующий напряжению насыщения.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > ток насыщения токовой камеры
-
15 давление насыщения
давление насыщения
давление насыщенного пара
Нрк упругость насыщенного пара
Давление в системе «пар — жидкость» или «пар — кристалл» в состоянии фазового равновесия.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 103. Термодинамика. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1984 г.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > давление насыщения
-
16 напряжение насыщения ионизационной камеры
напряжение насыщения ионизационной камеры
Наименьшее значение напряжения между электродами ионизационной камеры, при котором обеспечивается полное собирание зарядов, возникших в результате первичной ионизации.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения ионизационной камеры
-
17 реактивное сопротивление насыщения
реактивное сопротивление насыщения
-EN
saturation reactance
the reactance corresponding to the saturation inductance at the frequency of the alternating current power source
[IEV ref 431-02-14]FR
réactance de saturation
réactance correspondant à l'inductance de saturation pour la fréquence de la source d'alimentation
[IEV ref 431-02-14]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > реактивное сопротивление насыщения
-
18 температура насыщения
температура насыщения
Температура системы «пар — жидкость» или «пар — кристалл» в состоянии фазового равновесия.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 103. Термодинамика. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1984 г.]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > температура насыщения
-
19 уровень насыщения запоминающей электронно-лучевой трубки
уровень насыщения запоминающей электронно-лучевой трубки
Уровень, выше которого выходной сигнал запоминающей электронно-лучевой трубки не может быть увеличен при записи или при считывании.
Примечание
Различают насыщение по записи и насыщение по считыванию.
[ ГОСТ 17791-82]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > уровень насыщения запоминающей электронно-лучевой трубки
-
20 яркость насыщения экрана запоминающей электронно-лучевой трубки
- brillance de saturation d’écran du tube image à mémoire
яркость насыщения экрана запоминающей электронно-лучевой трубки
Яркость экрана полутоновой запоминающей электронно-лучевой трубки с видимым изображением, соответствующая потенциалу поверхности диэлектрической мишени, равному потенциалу катода воспроизводящего прожектора.
[ ГОСТ 17791-82]Тематики
EN
DE
FR
- brillance de saturation d’écran du tube image à mémoire
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > яркость насыщения экрана запоминающей электронно-лучевой трубки
См. также в других словарях:
НАСЫЩЕНИЯ ЭФФЕКТ — выравнивание населённо стей двух уровней энергии квантовой системы (молекулы, атома) под действием резонансного эл. магн. излучения. При увеличении интенсивности падающего излучения возрастает вероятность индуциров. квантовых переходов с верх.… … Физическая энциклопедия
Насыщения механизмы — – любой механизм, который сигнализирует специальным структурам организма о том, что некая потребность последнего в достаточной степени удовлетворена. Особенностью таких механизмов является то, что они действуют совместно с процессами… … Энциклопедический словарь по психологии и педагогике
Насыщения центр — – термин, иногда используемый для обозначения вентромедиальной области гипоталамуса, гипотетического центра насыщения пищей … Энциклопедический словарь по психологии и педагогике
Насыщения эффект — уменьшение интенсивности спектральной линии (поглощения или излучения) при увеличении мощности внешнего резонансного электромагнитного излучения. Причина Н. э. выравнивание населённостей двух уровней энергии, между которыми под действием… … Большая советская энциклопедия
НАСЫЩЕНИЯ, МЕХАНИЗМЫ — Любой механизм, который сигнализиру телу о том, что некоторая потребность должна быть удовлетворена Интереной чертой таких механизмов является то, что они действуют в предвосхищении удовлетворения потребностей тканей тела. Например, ваша жажда… … Толковый словарь по психологии
НАСЫЩЕНИЯ, ЦЕНТР — Термин, иногда используемый для обозначени вентромедиальной области гипоталамуса … Толковый словарь по психологии
ОСТ 39-087-79: Лабораторные методы и приборы для определения давления насыщения нефти газом. Общие технические требования. Оценка точности — Терминология ОСТ 39 087 79: Лабораторные методы и приборы для определения давления насыщения нефти газом. Общие технические требования. Оценка точности: 3.Визуальный метод определения давления насвдения нефти газом. Метод, основанный на… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
коэффициент насыщения биполярного транзистора — Ндп. степень насыщения Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения. Обозначение Kнас Ksat [ГОСТ 20003 74] Недопустимые, нерекомендуемые степень насыщения Тематики полупроводниковые приборы EN saturation coefficient FR… … Справочник технического переводчика
поляризованность насыщения сегнетоэлектрика — Ндп. поляризация насыщения Наибольшее значение поляризованности сегнетоэлектрика, соответствующее началу участка насыщения. Примечание Участок насыщения часть петли диэлектрического гистерезиса, где две ее ветви сходятся вместе. [ГОСТ 21515 76]… … Справочник технического переводчика
индукция технического насыщения — индукция насыщения Значение индукции магнитного материала, определяемое экстраполяцией из области напряженностей магнитных полей, соответствующих намагниченности технического насыщения, к нулевому значению напряженности поля. [ГОСТ 19693 74]… … Справочник технического переводчика
коэффициент насыщения магнитной цепи вращающейся электрической машины — коэффициент насыщения магнитной цепи Отношение суммы магнитных напряжений всех участков магнитной цепи вращающейся электрической машины к магнитному напряжению ее воздушного зазора коэффициент насыщения магнитной цепи. [ГОСТ 27471 87] Тематики… … Справочник технического переводчика