-
41 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
42 общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iэобщ к
ICE H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
-
43 плоский угол зрения ФЭПП
плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
2b
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плоский угол зрения ФЭПП
-
44 предельная частота ФЭПП
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота ФЭПП
-
45 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
-
46 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
-
47 радиационный порог чувствительности ФЭПП
- noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
радиационный порог чувствительности ФЭПП
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры.
Обозначение
ФП рад
ФBLIP
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
- noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
FR
83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП
E. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
F. Puissance équivalente au bruit du philra détecteur
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > радиационный порог чувствительности ФЭПП
-
48 световое сопротивление ФЭПП
световое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
RE
RH
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
57. Световое сопротивление ФЭПП
D. Hellwiderstand
E. Resistance under illumination
F. Résistance sous éclairement
RE
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > световое сопротивление ФЭПП
-
49 темновое сопротивление ФЭПП
темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
Rт
Rd
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- résistance d’obscurité
55. Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
Rt
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновое сопротивление ФЭПП
-
50 темновой ток коллектор-база фототранзистора
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток коллектор-база фототранзистора
-
51 темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IэТ К
IСEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
E. Collector-emitter dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
-
52 темновой ток эмиттер-база фототранзистора
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ Э
IEBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттер-база фототранзистора
-
53 темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IкТ Э
IECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-collector dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
-
54 темповой ток ФЭПП
темповой ток ФЭПП
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Iт
Id
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité
D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d'obscurité
It
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темповой ток ФЭПП
-
55 ток фотосигнала ФЭПП
ток фотосигнала ФЭПП
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
Ic
IS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Photosignalstrom
E. Photoelectric signal current
F. Courant de signal photoélectrique
Ic
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток фотосигнала ФЭПП
-
56 токовая чувствительность фототранзистора
токовая чувствительность фототранзистора
Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.
Обозначение
hэ23
hб23
hк23
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
124. Токовая чувствительность фототранзистора
D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors
E. Current responsivity of the phototransistor
F. Réponse en courant du phototransistor
Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > токовая чувствительность фототранзистора
-
57 угловая характеристика чувствительности ФЭПП
угловая характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента.
Обозначение
S(θ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Empfindlichkeitswinkelverteilung
E. Responsivity directional distribution
F. Distribution directionnelle de la réponse
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64 - 74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность Sи и т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Suλ(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности SIEи токовая чувствительность к световому потоку SuФ (комбинация терминов 68 с 65 и 67).
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102 - 125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > угловая характеристика чувствительности ФЭПП
-
58 фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП
- noise voltage-background radiant flux charnoise voltage-background radiant flux characteristicacteristic
- Noise voltage-background radiant flux characteristic
фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП
Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.
Обозначение
Uш(Ф)
Un(Ф)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
- noise voltage-background radiant flux charnoise voltage-background radiant flux characteristicacteristic
DE
176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Abhängigkeit der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Noise voltage-background radiant flux characteristic
UШ (f)
Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП
-
59 фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона.
Обозначение
Фп1(Ф)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
- Abhängigkeit der äquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung
177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
D. Abhängigkeit der equivalenten Rau-schleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung
E. NEP-background radiant flux characteristic
Фп1 (Ф)
Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
-
60 фоновая характеристика тока шума ФЭПП
фоновая характеристика тока шума ФЭПП
Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.
Обозначение
Iш(Ф)
In(Ф)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП
D. Abhängigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Noise current-background radiant flux characteristic
IШ (f)
Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фоновая характеристика тока шума ФЭПП
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэлектродвижущая сила — 16. Фотоэлектродвижущая сила Фото ЭДС Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р п переходе под действием оптического излучения Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации