-
41 punch-through (penetration) voltage
напряжение смыкания биполярного транзистора
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база.
Обозначение
UСМК
Upt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de pénétration (tension de persage)
Ucмк
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > punch-through (penetration) voltage
-
42 collector-emitter cut-off current
обратный ток коллектор-эмиттер
Ндп. начальный ток коллектора
ток коллектора закрытого транзистора
Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер.
Обозначение
IКЭ
Примечание
При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO;
при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER;
при заданном обратном напряжении эмиттер-база IКЭX, ICEX.
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
3. Обратный ток коллектор-эмиттер
Ток коллектора закрытого транзистора
D. Kollektor- Emitter- Reststrom
E. Collector-emitter cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur-émetteur
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter cut-off current
-
43 collector cut-off current
обратный ток коллектора
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
Обозначение
IКБО
ICBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
1. Обратный ток коллектора
D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)
E. Collector cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur
IКБО
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector cut-off current
-
44 emitter cut-off current
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter cut-off current
-
45 optimal power gain
оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума.
Обозначение
KyPoпт
Gpopt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Optimale Leistungsverstärkung
E. Optimal power gain
F. Gain de puissance optimum
КyPonm
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > optimal power gain
-
46 floating emitter-base voltage
плавающее напряжение эмиттер-база
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UЭБпл
UEBfl
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
9. Плавающее напряжение эмиттер-база
E. Floating emitter-base voltage
F. Tension flottante émetteur-base
UЭБпл
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > floating emitter-base voltage
-
47 small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
- полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y12
y12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*12
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
-
48 small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
- полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts
E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*21
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
-
49 total input power (d.c.) to all electrodes
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- total input power (d.c.) to all electrodes
DE
FR
- puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Gesamtverlustleistung
E. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes
Р
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total input power (d.c.) to all electrodes
-
50 collector (d.c.) power dissipation
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора.
Обозначение
PК
PC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector (d.c.) power dissipation
DE
FR
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung
E. Collector (d.c.) power dissipation
F. Puissance dissipée (continue) au collecteur
РК
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector (d.c.) power dissipation
-
51 emitter-base (d.с.) voltage
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base (d.с.) voltage
-
52 saturation base current
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения
E. Saturation base current
F. Courant de saturation base
IБнас
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation base current
-
53 collector (d.с.) current
постоянный ток коллектора
Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход.
Обозначение
IК
IC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector (d.с.) current
DE
FR
D. Kollektorgleichstrom
E. Collector (d.с.) current
F. Courant continu de collecteur
IK
Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector (d.с.) current
-
54 saturation collector current
постоянный ток коллектора в режиме насыщения
-
Обозначение
IКнас
ICsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения
E. Saturation collector current
F. Courant de saturation collecteur
IKнас
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation collector current
-
55 breakdown collector-base voltage
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown collector-base voltage
-
56 breakdown collector-emitter voltage
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown collector-emitter voltage
-
57 breakdown emitter-base voltage
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown emitter-base voltage
-
58 equivalent noise voltage
эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
D. Äquivalente Rauschspannung
E. Equivalent noise voltage
F. Tension de bruit équivalente
Uш
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > equivalent noise voltage
-
59 modulus of the short-circuit forward transfer admittance
- модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
- Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи
-
Обозначение
│y21и│
│y21s│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
|y21э|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward transfer admittance
-
60 Saturation baseemitter voltage
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Saturation baseemitter voltage
Перевод: с английского на все языки
со всех языков на английский- Со всех языков на:
- Английский
- С английского на:
- Русский
гост+20003-74:+транзисторы+биполярные.+термины,+определения+и+буквенные+обозначения+параметров
Страницы