КМОП-структура

См. также в других словарях:

• КМОП-структура —  CMOS  (Complementary Metal Oxide Semiconductor)  КМОП структура, К МОП, комплементарная логика на транзисторах металл оксид полупроводник   Технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

• КМОП-структура — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-структура типа кремний на сапфире — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-структура с двумя слоями поликристаллического кремния — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-структура с двумя уровнями поликристаллического кремния — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-структура с изолированными кремниевыми затворами — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-структура с многоуровневыми затворами — jungtinis MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. stacked gate complementary MOS; stacked gate complementary MOS structure vok. komplementäre Stapelgate MOS, f; Stapelgate CMOS, f rus. КМОП… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• кремниевая КМОП-структура на сапфире — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat …   Radioelektronikos terminų žodynas

• многослойная КМОП-структура — daugiasluoksnis jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. overlaid CMOS; overlaid CMOS structure; overlaid complementary MOS vok. komplementäre Mehrebenen MOS Struktur, f; Mehrebenen CMOS Struktur, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• многоуровневая КМОП-структура — daugiasluoksnis jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. overlaid CMOS; overlaid CMOS structure; overlaid complementary MOS vok. komplementäre Mehrebenen MOS Struktur, f; Mehrebenen CMOS Struktur, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• высококачественная КМОП-структура — kokybiškasis jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high performance complementary MOS; high performance complementary MOS structure vok. komplementäre Hochleistungs MOS Struktur, f rus. высококачественная… …   Radioelektronikos terminų žodynas