-
1 двойная гетероструктура GaAlAs-GaAs
adjmicroel. (излучающая) GaAlAs-GaAs-HeterostrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > двойная гетероструктура GaAlAs-GaAs
-
2 арсенид галлия-алюминия GaAlAs
nmicroel. Gallium-Aluminium-ArsenidУниверсальный русско-немецкий словарь > арсенид галлия-алюминия GaAlAs
-
3 Gallium aluminium arsenide
Abbreviation: GaAlAsУниверсальный русско-английский словарь > Gallium aluminium arsenide
-
4 лазер с галлием алюминием-арсенидом
Laser medicine: gallium aluminium arsenide( GaAlAs) laserУниверсальный русско-английский словарь > лазер с галлием алюминием-арсенидом
-
5 лазер с галлием-алюминием-арсенидом со светоизлучающим диодом в около инфракрасном спектре
Laser medicine: GaAlAs laser in diode emitting light in the near infra-redУниверсальный русско-английский словарь > лазер с галлием-алюминием-арсенидом со светоизлучающим диодом в около инфракрасном спектре
-
6 арсенид галлия алюминия
nmicroel. Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs)Универсальный русско-немецкий словарь > арсенид галлия алюминия
-
7 светодиоды
(Light Emitting Diodes)СветодиодыПолупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.
Промышленно выпускаемые светодиоды -
8 LEDs
(Light Emitting Diodes)СветодиодыПолупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.Промышленно выпускаемые светодиоды
См. также в других словарях:
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
СВЕРХИНЖЕКЦИЯ — явление, возникающее при инжекции неосновныхносителей заряда в гетеропереходе, заключающееся в превышении концентрациинеосновных носителей в материале, в к рый происходит инжек ция, по сравнениюс концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов… … Физическая энциклопедия
атомно-силовая микроскопия — Термин атомно силовая микроскопия Термин на английском atomic force microscopy Синонимы scanning force microscopy Аббревиатуры АСМ, AFM, SFM Связанные термины манипуляция атомами, кантилевер, литография, микроскопия, нанотрибология, поверхность,… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Laser diode — Top: a packaged laser diode shown with a penny for scale. Bottom: the laser diode chip is removed from the above package and placed on the eye of a needle for scale … Wikipedia
Diode-pumped solid-state laser — A frequency doubled green laser pointer, showing internal construction. Cells and electronics lead to a laser head module (see lower diagram) This contains a powerful 808 nm IR diode laser that pumps a Nd:YVO4 laser crystal, that in turn outputs… … Wikipedia
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной … Физическая энциклопедия
эпитаксия газофазная — Термин эпитаксия газофазная Термин на английском metalorganic vapour phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры MOVPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Band gap — This article is about solid state physics. For voltage control circuitry in electronics, see Bandgap voltage reference. In solid state physics, a band gap, also called an energy gap or bandgap, is an energy range in a solid where no electron… … Wikipedia
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
Double-clad fiber — Refractive index profile of dispersion compensating double clad fiber. c:core, i:inner cladding, o:outer cladding … Wikipedia
