-
1 base
1.стр. (основание) база, (цоколь деревянных строений) постамент2. сущ.1) общ. фундамент, база (лекарства), базовый (Le livre journal constitue le document base de toute la comptabilité.), основной, склад, основание, база (военная и т.п.)2) мор. (de vitesse) мерная миля4) перен. основа, базис, низы, база, рядовые члены (какой-л. организации)5) тех. (горизонтальная) станина, база полупроводников триода, основание полупроводников триода, рама (напр., двигателя), обух (клина), рама (напр. двигателя)6) метал. опора, рама, станина7) радио. база (транзистора)8) физ. акцептор протонов9) выч. основной адрес, базовый адрес, базис (в теории автоматов), основание (системы счисления)10) маш. основная плита, фундаментная плита -
2 structure en bandes
зонная структура (напр. полупроводников)Dictionnaire polytechnique Français-Russe > structure en bandes
-
3 méthode de raffinement de zone
сущ.Французско-русский универсальный словарь > méthode de raffinement de zone
-
4 ovonique
сущ. -
5 procédé de fonte par zones
сущ.Французско-русский универсальный словарь > procédé de fonte par zones
-
6 purification par zone flottante
сущ.1) тех. очистка методом зонной плавкиФранцузско-русский универсальный словарь > purification par zone flottante
-
7 raffinage zonal
сущ.радио. зонная очистка (полупроводников) -
8 structure de bande
Французско-русский универсальный словарь > structure de bande
-
9 thyrite
сущ.1) тех. нелинейное полупроводников вое сопротивление, тиритовое сопротивление2) радио. нелинейный полупроводниковый резистор, тирит, тиритовый резистор -
10 état d'interface
сущ. -
11 semi-conducteur,
trice m. (de semi- et conducteur) ел. 1. полупроводник; 2. полупроводников. -
12 jonction hétérogène
гетерогенный переход
гетеропереход
Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > jonction hétérogène
-
13 jonction homogène
гомогенный переход
гомопереход
Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > jonction homogène
-
14 allumage a déclenchement par rupteur et a semi-conducteurs
контактно-электронная система зажигания
Электронная система зажигания с контактным прерывателем.
Примечание
В зависимости от типа полупроводников контактно-электронная система зажигания может быть: транзисторная, тиристорная и др.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > allumage a déclenchement par rupteur et a semi-conducteurs
-
15 effet de tension en résistance
тензорезистивный эффект
тензоэффект
Свойство проводников и полупроводников изменять электрическое сопротивление при объемном или линейном деформировании.
[ ГОСТ 20420-75]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > effet de tension en résistance
-
16 allumage a semi-conducteurs
электронная система зажигания
Система зажигания, применяющая полупроводники для целей коммутации.
Примечание
В зависимости от вида полупроводников система зажигания может быть: транзисторная, тиристорная и др.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > allumage a semi-conducteurs
См. также в других словарях:
Полупроводников Институт — АН СССР (набережная Кутузова, 10), создан в 1955 по инициативе академика А. Ф. Иоффе на базе Лаборатории полупроводников (основана в 1952). С 1972 в составе Физико технического института АН СССР. Санкт Петербург. Петроград. Ленинград:… … Санкт-Петербург (энциклопедия)
полупроводников Институт — АН СССР (набережная Кутузова, 10), создан в 1955 по инициативе академика А. Ф. Иоффе на базе Лаборатории полупроводников (основана в 1952). С 1972 в составе Физико технического института АН СССР … Энциклопедический справочник «Санкт-Петербург»
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) … Википедия
ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕКТРОХИМИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — изучает физ. хим. процессы на границе раздела полупроводник электролит. Особенности электрохим. поведения полупроводников обусловлены, во первых, низкой концентрацией подвижных зарядов носителей тока, во вторых, наличием двух видов носителей тока … Химическая энциклопедия
Физика полупроводников — Физика полупроводников раздел физики твёрдого тела, посвященный изучению особенностей физических свойств полупроводников и происходящих в них физических явлений. Предметом изучения являются структурные, электрофизические, оптические… … Википедия
Акцептор (физика полупроводников) — Акцептор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая придаёт кристаллу дырочный тип проводимости при которой носителями заряда являются дырки. Термин имеет смысл при ковалентном типе связей в … Википедия
Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий … Википедия
Физика и техника полупроводников — Физика полупроводников раздел физики твёрдого тела, посвященный изучению особенностей физических свойств полупроводников и происходящих в них физических явлений. Предметом изучения являются структурные, электрофизические, оптические свойства… … Википедия
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей. Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и… … Википедия
ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ — свойства, обусловленные поведением носителей заряда (электронов и дырок) вблизи границы раздела полупроводника с др. средой. На поверхности существуют поверхностные состояния носителей, плотность к рых (число состояний, приходящихся на единичный… … Физическая энциклопедия