-
1 temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
время восстановления по напряжению интегральной микросхемы
время восстановления по напряжению
Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение.
Обозначение
tвосU
tRU
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
-
2 temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
время восстановления по току интегральной микросхемы
время восстановления по току
Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение.
Обозначение
tвосI
tRI
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
-
3 temps d’accès
время выборки интегральной микросхемы
время выборки
Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.
Обозначение
tв
tA
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps d’accès
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps d’accès
-
4 temps de délai
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de délai
-
5 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
6 intervalle de temps de rafraîchissement
время регенерации интегральной микросхемы
время регенерации
Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения.
Обозначение
tрег
tREF
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > intervalle de temps de rafraîchissement
-
7 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
8 temps de vacillement
время успокоения интегральной микросхемы
время успокоения
Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня.
Обозначение
tусп
trip
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de vacillement
-
9 domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
диапазон входных напряжений интегральной микросхемы
диапазон входных напряжений
Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального.
Обозначение
∆Uвх
∆UI
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
-
10 domaine de fonctionnement de la tension de sortie
диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы
диапазон выходных напряжений
Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы.
Обозначение
∆Uвых
UORN
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > domaine de fonctionnement de la tension de sortie
-
11 dérive de la tension de sortie
дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы
дрейф выходного напряжения
Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
∆Uвых
∆Uo(t)
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dérive de la tension de sortie
-
12 dérive du courant de sortie
дрейф выходного тока интегральной микросхемы
дрейф выходного тока
Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
∆Iвыхt
∆Io(t)
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dérive du courant de sortie
-
13 taux de réjection n mode commun
- коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений
Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.
Обозначение
Kос.сф
KCMR
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > taux de réjection n mode commun
-
14 taux de réjection de l'ondulation résiduelle
коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы
коэффициент сглаживания пульсаций
Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.
Обозначение
Kсг
KRR
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > taux de réjection de l'ondulation résiduelle
-
15 coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entrée
коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы
коэффициент стабилизации входного напряжения
Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
KстUвх
K∫стUвх
KSI
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entrée
-
16 coefficient de stabilisation en fonction de la charge
коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы
коэффициент стабилизации нагрузки
Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
KстR
KSO
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > coefficient de stabilisation en fonction de la charge
-
17 amplification en tension en mode différentiel
- коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы
коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы
коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению
Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме
Обозначение
KyUдиф
AVD
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > amplification en tension en mode différentiel
-
18 amplification en tension en mode commun
коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент усиления синфазных входных напряжений
Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению.
Обозначение
Ky.сф
KUC
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > amplification en tension en mode commun
-
19 tension de décalage
напряжение смещения нуля интегральной микросхемы
напряжение смещения нуля
Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.
Обозначение
Uсм
UIO
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de décalage
-
20 tension de lecture de contreréaction
напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы
напряжение считывания обратной связи
Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы.
Обозначение
UFB
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de lecture de contreréaction
См. также в других словарях:
микросхемы — интегральные схемы — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва] Тематики электротехника, основные понятия Синонимы интегральные схемы EN microcircuitry … Справочник технического переводчика
Микросхемы звукогенераторов — Микросхемы звукогенераторов специализированные микросхемы для генерации звука. Они могут использоваться для воспроизведения звуковых эффектов и синтезированной музыки (см. chiptune) в компьютерах, игровых системах (консолях, автоматах) и… … Википедия
Микросхемы серии 7400 — Микросхема 7400, содержащая четыре элемента 2И НЕ. Суффикс N обозначает PDIP корпус. Число меньшим шрифтом во второй строке (7645) код даты; эта микросхема произведена в 1976 году на 45 неделе … Википедия
Микросхемы серии 78xx — 78xx (советский аналог ИМС КР142ЕНxx) серия линейных стабилизаторов напряжения с фиксированным выходным напряжением. Большая популярность серии обусловлена необходимостью использовать во множестве схем стабилизированный источник питания, также с… … Википедия
Микросхемы серии 4000 — 4000 серия интегральных микросхем промышленный стандарт интегральных схем, реализующих различные логические функции, используя КМОП технологию. Она была представлена корпорацией RCA как CD4000 COS/MOS в 1968 как малопотребляющая и более гибкая… … Википедия
Интегральные микросхемы — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Логические микросхемы — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Российские микросхемы памяти — В настоящее время 80 % производства этой отрасли полупроводников в России, находится у 3 зеленоградских предприятий ЗАО «ПКК Миландр», НИИМЭ и Микрон и ОАО Ангстрем. Они производят микросхемы статической оперативной памяти , постоянной … Википедия
Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств — Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому… … Википедия
Советские микросхемы для построения запоминающих устройств — Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому… … Википедия
ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ — в соответствии со ст. 998 ГК топология интегральной микросхемы является объектом права промышленной собственности. Согласно ст. 1007 ГК топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно… … Юридический словарь современного гражданского права