-
1 tension de claquage collecteur-base de phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage collecteur-base de phototransistor
-
2 Tension de claquage collecteur-base de
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Tension de claquage collecteur-base de
-
3 phototransistor
фототранзистор
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
17. Фототранзистор
D. Phototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor
-
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > phototransistor
-
4 collector-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base breakdown voltage of a phototransistor
-
5 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
6 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
7 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
8 Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение коллектор-база — 12. Пробивное напряжение коллектор база D. Kollektor Basis Durchbruchspannung E. Breakdown collector base voltage F. Tension de claquage collecteur base UКБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uкпр к UBR CBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… … Справочник технического переводчика
Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — 106. Пробивное напряжение коллектор база фототранзистора D. Kollektor Basis Durch bruchspannung eines Phototransistors E. Collector base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur base de phototransistor Пробивное… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Opto-coupleur — Photocoupleur Un photocoupleur (ou optocoupleur) est un composant électronique capable de transmettre un signal d un circuit électrique à un autre, sans qu il y ait de contact galvanique entre eux[1]. Le terme de photocoupleur est traduit de l… … Wikipédia en Français
Optocoupleur — Photocoupleur Un photocoupleur (ou optocoupleur) est un composant électronique capable de transmettre un signal d un circuit électrique à un autre, sans qu il y ait de contact galvanique entre eux[1]. Le terme de photocoupleur est traduit de l… … Wikipédia en Français
Photocoupleur — Un photocoupleur (ou optocoupleur) est un composant électronique capable de transmettre un signal d un circuit électrique à un autre, sans qu il y ait de contact galvanique entre eux[1]. Le terme de photocoupleur est traduit de l anglais… … Wikipédia en Français