-
21 MIOS structure
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MIOS structure
-
22 MISIS structure
Электроника: структура металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-полупроводник (metal-insulator-semiconductor-insulator-semiconductor structure), МДПДП-структура -
23 MISIS structure
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MISIS structure
-
24 MIMIS structure
Электроника: структура металл-диэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник (metal-insulator-metal-insulator-semiconductor structure), МДМДП-структура -
25 MIMIS structure
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MIMIS structure
-
26 MIOS structure
Электроника: структура металл-диэлектрик-оксид-полупроводник (metal-insulator-oxide-semiconductor structure), МДОП-структура -
27 MIS annular structure
-
28 MIS annular structure
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MIS annular structure
-
29 MIS structure
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MIS structure
-
30 MIS structure
1) Техника: структура "металл диэлектрик полупроводник"2) Вычислительная техника: МДП-структура3) Макаров: (metal-insulator-semiconductor) МДП-структура (структура металл-диэлектрик-полупроводник) -
31 mis structure
1) Техника: структура "металл диэлектрик полупроводник"2) Вычислительная техника: МДП-структура3) Макаров: (metal-insulator-semiconductor) МДП-структура (структура металл-диэлектрик-полупроводник) -
32 FET
сокр. от field-effect transistor-
adjustable threshold FET
-
back-gated FET
-
barrier-gate FET
-
bipolar junction FET
-
bipolar FET
-
bipolar-diffused FET
-
buried-channel FET
-
charge storage junction gate FET
-
charge-coupled FET
-
compound FET
-
conductivity modulated FET
-
conductor-insulator-semiconductor FET
-
depletion mode FET
-
dual-gate FET
-
enhancement mode FET
-
ferroelectric FET
-
floating-gate FET
-
gallium-arsenide FET
-
heterojunction-gate FET
-
heterojunction FET
-
insulated-gate FET
-
internal-channel FET
-
junction-gate FET
-
junction FET
-
lateral FET
-
metallized semiconductor FET
-
metal semiconductor FET
-
metal-ferroelectric semiconductor FET
-
metal-gate FET
-
metal-insulator-semiconductor FET
-
metal-oxide-semiconductor FET
-
microwave FET
-
multichannel FET
-
n-channel FET
-
normally-off FET
-
normally-on FET
-
optical FET
-
p-channel FET
-
pinched-base FET
-
pinched FET
-
planar FET
-
polysilicon FET
-
poly FET
-
power FET
-
resistive-insulated-gate FET
-
Schottky-barrier-FET
-
Schottky-FET
-
Schottky-gate FET
-
self-aligned gate FET
-
self-aligned FET
-
short channel FET
-
single-channel FET
-
surface-channel FET
-
surface FET
-
uniform FET
-
unipolar FET
-
V-channel FET
-
vertical-channel FET
-
vertical FET
-
vertical-structure FET
-
V-groove FET -
33 BMIS
1) Техника: bulk metal-insulator-semiconductor structure2) Сокращение: Battle Management Information System (Canada) -
34 BMIS
bulk metal-insulator-semiconductor structure - структура "металл-диэлектрик-полупроводник" с объёмным эффектом
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Metal–insulator transition — Metal insulator transitions are transitions from a metal (material with good electrical conductivity of electric charges) to an insulator (material where conductivity of charges is quickly suppressed). These transitions can be achieved by tuning… … Wikipedia
metal-insulator-semiconductor structure — metalo dielektriko puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor structure vok. Metall Isolator Halbleiter Struktur, f rus. структура металл диэлектрик полупроводник, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
bulk metal-insulator-semiconductor structure — tūrinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk metal insulator semiconductor structure; bulk MIS structure vok. Volumen Metall Isolator Halbleiter Struktur, f; Volumen MIS Struktur, f rus. объёмная МДП структура, f … Radioelektronikos terminų žodynas
thermal nitridation metal-insulator-semiconductor — termiškai nitridintas MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal nitridation metal insulator semiconductor; thermal nitridation MIS structure vok. MOS Struktur mit thermischer Nitrierung, f rus. МДП структура с… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary metal-insulator-semiconductor — jungtinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal insulator semiconductor; complementary MIS; complementary MIS structure vok. komplementäre MIS Struktur, f rus. комплементарная МДП структура, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most … Wikipedia
structure métal-isolant-semi-conducteur à nitruration thermique — termiškai nitridintas MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal nitridation metal insulator semiconductor; thermal nitridation MIS structure vok. MOS Struktur mit thermischer Nitrierung, f rus. МДП структура с… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-isolant-semi-conducteur — metalo dielektriko puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor structure vok. Metall Isolator Halbleiter Struktur, f rus. структура металл диэлектрик полупроводник, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-isolant-semi-conducteur complémentaire — jungtinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal insulator semiconductor; complementary MIS; complementary MIS structure vok. komplementäre MIS Struktur, f rus. комплементарная МДП структура, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MIS de volume — tūrinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk metal insulator semiconductor structure; bulk MIS structure vok. Volumen Metall Isolator Halbleiter Struktur, f; Volumen MIS Struktur, f rus. объёмная МДП структура, f … Radioelektronikos terminų žodynas