-
1 пробивное напряжение диода
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение диода
-
2 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
3 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
4 пробивное напряжение коллектор-эмиттер
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер
-
5 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
-
6 пробивное напряжение фотодиода
пробивное напряжение фотодиода
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
Обозначение
Uпр
UBR
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
50. Пробивное напряжение фотодиода
D. Durchbruchspannung einer Photodiode
E. Breakdown voltage of a photodiode
F. Tension de claquage de photodiode
Uпр
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение фотодиода
-
7 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
8 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
9 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
-
10 изоляция
электрическая изоляция
изоляция
Часть электротехнического устройства, электрически разделяющая его узлы и (или) детали.
[ ГОСТ 21515-76]
изоляция
-
[IEV number 151-15-41]
изоляция
-
[IEV number 151-15-42]EN
insulation (1)
all the materials and parts used to insulate conductive elements of a device
[IEV number 151-15-41]
insulation (2)
set of properties which characterize the ability of an insulation to provide its function
NOTE – Examples of relevant properties are: resistance, breakdown voltage.
Source: 151-15-41
[IEV number 151-15-42]FR
isolation, f
ensemble des matériaux et parties utilisés pour isoler des éléments conducteurs d'un dispositif
[IEV number 151-15-41]
isolement, m
ensemble des propriétés qui caractérisent l’aptitude d’une isolation à assurer sa fonction
NOTE – Des exemples de propriétés pertinentes sont la résistance, la tension de claquage.
[IEV number 151-15-42]Примечание - Изоляция может быть твердой, жидкой или газообразной (например, воздух), или представлять собой любую комбинацию указанных состояний.
[ ГОСТ Р МЭК 61140-2000]п ерекрытие по поверхности изоляции
Испытание изоляции полным испытательным напряжением
Тематики
- электрическая изоляция
- электротехника, основные понятия
Синонимы
Сопутствующие термины
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > изоляция
-
11 лавинный пробой p-n перехода
лавинный пробой p-n перехода
Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > лавинный пробой p-n перехода
-
12 пробивное напряжение затвора
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение затвора
-
13 пробой p-n перехода
пробой p-n перехода
Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.
Примечание
Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробой p-n перехода
-
14 тепловой пробой p-n перехода
тепловой пробой p-n перехода
Пробой p-n перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > тепловой пробой p-n перехода
-
15 туннельный пробой p-n перехода
туннельный пробой p-n перехода
Электрический пробой p-n перехода, вызванный туннельным эффектом.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > туннельный пробой p-n перехода
-
16 электрический пробой p-n перехода
электрический пробой p-n перехода
Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > электрический пробой p-n перехода
См. также в других словарях:
claquage — [ klakaʒ ] n. m. • 1895; de claquer 1 ♦ Méd. Accident musculaire (déchirure, élongation) dû à un effort excessif. Le coureur, victime d un claquage, a dû abandonner. 2 ♦ Électr. Destruction d un matériau sous l effet d un champ électrique ou de… … Encyclopédie Universelle
Claquage — Cette page d’homonymie répertorie les différents sujets et articles partageant un même nom. Claquage peut faire référence à: Électronique Claquage quand se forme un arc électrique dans un composant. Tension de claquage ou tension disruptive.… … Wikipédia en Français
claquage — pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. breakdown vok. Überschlag, m; Durchschlag, m; Durchschlagen, n; elektrischer Durchbruch, m rus. пробой, m pranc. claquage, m; décharge disruptive, f; disruption, f; percement, m;… … Automatikos terminų žodynas
claquage — pramušimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. breakdown; puncture vok. Durchbruch, m; Durchschlag, m rus. пробой, m pranc. claquage, m; disruption, f; rupture, f … Fizikos terminų žodynas
Claquage disruptif — ● Claquage disruptif claquage électrique détruisant localement le caractère isolant d un milieu … Encyclopédie Universelle
Claquage (électronique) — En électronique ou électrotechnique, le claquage est un phénomène qui se produit dans un isolant quand le champ électrique est plus important que ce que peut supporter cet isolant. Il se forme alors un arc électrique. Dans un condensateur,… … Wikipédia en Français
claquage de Zener — tunelinis pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. tunnel breakdown; Zener breakdown vok. Tunneldurchbruch, m; Zener Durchbruch, m rus. пробой Зенера, m; туннельный пробой, m pranc. claquage de Zener, m; claquage tunnel, m … Automatikos terminų žodynas
claquage tunnel — tunelinis pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. tunnel breakdown; Zener breakdown vok. Tunneldurchbruch, m; Zener Durchbruch, m rus. пробой Зенера, m; туннельный пробой, m pranc. claquage de Zener, m; claquage tunnel, m … Automatikos terminų žodynas
claquage par effet Zener d'une jonction p-n — tunelinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Zener breakdown of a p n junction vok. Tunnel Durchbruch eines p n Übergangs, m; Zener Durchbruch, m rus. зенеровский пробой p n перехода, m; туннельный пробой … Radioelektronikos terminų žodynas
claquage par effet tunnel d'une jonction p-n — tunelinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Zener breakdown of a p n junction vok. Tunnel Durchbruch eines p n Übergangs, m; Zener Durchbruch, m rus. зенеровский пробой p n перехода, m; туннельный пробой … Radioelektronikos terminų žodynas
Claquage musculaire — Déchirure musculaire échotomographie d une déchirure musculaire de 46 mm × 4 mm sur le jumeau interne du muscle gastrocnémien (mollet droit) La déchirure musculaire aussi appelé claquage correspond à l élongation traumatique d un muscle et la… … Wikipédia en Français