-
1 2-dimensional electron gas FET
Semiconductors: TEGFETУниверсальный русско-английский словарь > 2-dimensional electron gas FET
-
2 two-dimensional electron gas FET
Engineering: TEGFETУниверсальный русско-английский словарь > two-dimensional electron gas FET
-
3 FET mit zweidimensionalem Elektronengas
microel. TEGFETУниверсальный русско-немецкий словарь > FET mit zweidimensionalem Elektronengas
-
4 Two-dimensional Electron Gas FET
microel. TEGFETУниверсальный русско-немецкий словарь > Two-dimensional Electron Gas FET
-
5 ВПЭ-транзистор
abbrmicroel. HEMT, High Electron Mobility Transistor, (гетероструктурный металл-полупроводниковый) SDHT, (гетероструктурный металл-полупроводниковый) Selektiv Dotierter Heterojunction-Transistor, TEGFET, Transistor mit hoher Elektronenbe weglichkeit, Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit -
6 полевой транзистор на двумерном электронном газе
Универсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор на двумерном электронном газе
-
7 полевой транзистор с высокой подвижностью электронов
adjmicroel. (гетероструктурный металл-полупроводниковый) SDHT, (гетероструктурный металл-полупроводниковый) Selektiv Dotierter Heterojunction-Transistor, TEGFETУниверсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор с высокой подвижностью электронов
См. также в других словарях:
Liste elektrischer Bauelemente — Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt. Verschiedene elektronische Bauelemente Inhaltsverzeichnis … Deutsch Wikipedia
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… … Deutsch Wikipedia
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
