Metall-Oxid-Feldeffekttransistor

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• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

• Feldeffekttransistor mit Metall-Oxid-Halbleiter-Aufbau — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps — praturtintosios veikos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement MOS FET; enhancement mode MOS field effect transistor vok. Anreicherungstyp MOSFET, m; Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor des… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Feldeffekttransistor — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… …   Deutsch Wikipedia

• Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Isolierschicht-Feldeffekttransistor — Beispiel eines IGFET, hier n Kanal MOSFET Isolierschicht Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (englisch insulated gate field effect transistor, IGFET) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von …   Deutsch Wikipedia

• MOS-Feldeffekttransistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Transistor — Eine Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die… …   Deutsch Wikipedia

• Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… …   Deutsch Wikipedia

• Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… …   Deutsch Wikipedia