MOS-Struktur

См. также в других словарях:

• MOS-Struktur — MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS structure vok. MOS Struktur, f rus. МОП структура, f pranc. structure MOS, f ryšiai: palygink – metalo oksido puslaidininkio darinys …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur des Anreicherungs-Verarmungstyps — praturtintosios ir nuskurdintosios veikos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement/depletion MOS; enhancement/depletion MOS structure vok. Enhancement/Depletion MOS Struktur, f; MOS Struktur des Anreicherungs… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit dem Gate aus schwerschmelzendem Metall — MOP darinys su sunkialydžio metalo užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. refractory MOS; refractory metal gate MOS structure vok. MOS Struktur mit dem Gate aus schwerschmelzendem Metall, f; Refractory MOS Struktur, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit schwebendem Gate — MOP darinys su plūdriąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate MOS; floating gate MOS structure vok. MOS Struktur mit schwebendem Gate, f rus. МОП структура с плавающим затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit selbstjustierten Gates — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit Stapelgates und Lawineninjektion — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit einstellbarem Transistorschwellwert — reguliuojamos slenkstinės įtampos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. adjustable threshold MOS; adjustable threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit einstellbarem Transistorschwellwert, f rus. МОП структура с… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• MOS-Struktur mit hohem Schwellwert — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas