-
1 microwave-plasma MOCVD
Semiconductors: MP-MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > microwave-plasma MOCVD
-
2 low pressure MOCVD
Semiconductors: LPMOCVDУниверсальный русско-английский словарь > low pressure MOCVD
-
3 LP-MOCVD
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > LP-MOCVD
-
4 химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений
химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений
Процесс химического осаждения из паровой фазы, при котором используются металлоорганические соединения, термически разлагающиеся при температурах более низких, чем другие металлосодержащие соединения; метод часто используется при эпитаксиальном выращивании очень тонких пленок полупроводников III-V.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений
-
5 - Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Abbreviation: MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > - Metal Organic Chemical Vapor Deposition
-
6 metal organic chemical vapour deposition
Foreign Ministry: MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > metal organic chemical vapour deposition
-
7 metal-organic chemical vapor deposition
Engineering: MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > metal-organic chemical vapor deposition
-
8 metallo-organic chemical vapor deposition
Makarov: MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > metallo-organic chemical vapor deposition
-
9 metallorganic chemical vapor deposition
Optics: MOCVDУниверсальный русско-английский словарь > metallorganic chemical vapor deposition
-
10 материал, выращенный методом химического газового осаждения из металлорганических соединений
Makarov: MOCVD-grown materialУниверсальный русско-английский словарь > материал, выращенный методом химического газового осаждения из металлорганических соединений
-
11 химическое осаждение из паров металлоорганических соединений
1) Engineering: metal-organic chemical vapor deposition2) Makarov: metal-organic chemical vapor deposition( MOCVD)Универсальный русско-английский словарь > химическое осаждение из паров металлоорганических соединений
-
12 химическое осаждение из паров металлорганических соединений
Solar energy: MOCVD, metalorganic chemical vapor depositionУниверсальный русско-английский словарь > химическое осаждение из паров металлорганических соединений
-
13 химическое осаждение из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений
Makarov: metallo-organic chemical vapor deposition( MOCVD)Универсальный русско-английский словарь > химическое осаждение из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений
-
14 химическое осаждение из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений
metallo-organic chemical vapor deposition, MOCVDРусско-английский физический словарь > химическое осаждение из паровой фазы методом разложения металлоорганических соединений
-
15 metal-organic-CVD
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > metal-organic-CVD
См. также в других словарях:
MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
MOCVD — … Википедия
MOCVD — Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги) — ПодразделыПоликристаллические слоиЭпитаксиальные слоиСтатьиадгезияволокна, борныеволокна, карбидкремниевыегетероэпитаксиязародышеобразованиекриоконденсациямеханизм роста Странского Крастановамеханизм роста Франка – Ван дер Мервемеханизмы роста… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal organic chemical vapour deposition oder metallo organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung… … Deutsch Wikipedia
Ruthenium — (pronEng|ruːˈθiːniəm) is a chemical element that has the symbol Ru and atomic number 44. A rare transition metal of the platinum group of the periodic table, ruthenium is found associated with platinum ores and used as a catalyst in some platinum … Wikipedia
Copper indium gallium selenide solar cells — Copper indium gallium selenide (CuIn1 xGaxSe2 or CIGS) is a direct bandgap semiconductor useful for the manufacture of solar cells. Because the material strongly absorbs sunlight, a much thinner film is required than of other semiconductor… … Wikipedia
Metallorganische Gasphasenepitaxie — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die… … Deutsch Wikipedia
Metalorganic chemical vapor deposition — (MOCVD) is a chemical vapor deposition process that uses metalorganic source gases. For instance, MOCVD may use tantalum ethoxide (Ta(OC 2H 5) 5), to create tantalum pentoxide (Ta 2O 5), or Tetrakis Dimethyl Amino Titanium(IV) (TDMAT) to create… … Wikipedia
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia