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1 ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода
Универсальный русско-немецкий словарь > ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода
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2 барьерная ёмкость коллекторного перехода
Универсальный русско-немецкий словарь > барьерная ёмкость коллекторного перехода
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3 коллекторная барьерная ёмкость
Универсальный русско-немецкий словарь > коллекторная барьерная ёмкость
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4 ёмкость запирающего слоя коллектора
nmicroel. KollektorsperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость запирающего слоя коллектора
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5 ёмкость коллекторного перехода
n1) eng. Kapazität des Kollektorübergangs, Kollektorsperrschichtkapazität2) electr. Kollektorkapazität (транзистора)3) microel. Kapazitat des Kollektorubergangs, KollektorkapazitatУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость коллекторного перехода
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6 ёмкость
ёмкость м. Aufnahmefähigkeit f; Aufnahmevermögen n; Behälter m; Fassungsraum m; Fassungsvermögen n; Gefäß n; Gehalt m; Geräumigkeit f; Inhalt m; свз. Kanalkapazität f; эл. Kapazität f; Kubatur f; Kubikinhalt m; Raum m; Rauminhalt m; выч. Speicherkapazität f; Tank m; Tankbehälter m; Volumen n; elektrische Kapazität fёмкость м. (напр., регистра) выч. Zahlenbereich mёмкость м. аккумулятора Akkumulatorenkapazität f; Batteriekapazität f; Speicherkapazität f; Zellenkapazität fёмкость м. в ампер-часах эл. Kapazität f in Amperestunden; gespeicherte Elektrizitätsmenge f in Amperestundenёмкость м. памяти выч. Rechnerspeicherkapazität f; выч. Speicherkapazität f; выч. Speichervermögen nёмкость м. регистра выч. Registergröße f; выч. Registerkapazität f; выч. Zählbereich m eines Registers
См. также в других словарях:
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ersatzschaltungen des Bipolartransistors — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Gummel-Poon-Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Transportmodell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia