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1 фосфид индия
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2 InP
microel. Indiumphosphid -
3 фосфид индия
nmicroel. Indiumphosphid (InP)
См. также в других словарях:
Indiumphosphid — Kristallstruktur In3+ P3− … Deutsch Wikipedia
InP — Kristallstruktur In3+ P3− Allgemeines … Deutsch Wikipedia
Indium(III)-phosphid — Kristallstruktur In3+ P3− Allgemeines … Deutsch Wikipedia
Indium — Eigenschaften … Deutsch Wikipedia
HVPE — Hydridgasphasenepitaxie (engl. hydride vapor phase epitaxy, HVPE) ist ein epitaktisches Beschichtungsverfahren. Es wird in der Mikroelektronik unter anderem zur Herstellung von Schichten aus III V Verbindungshalbleitermaterialien eingesetzt;… … Deutsch Wikipedia
Hydridgasphasenepitaxie — (englisch hydride vapor phase epitaxy, HVPE) ist ein epitaktisches Beschichtungsverfahren. Es wird in der Mikroelektronik unter anderem zur Herstellung von Schichten aus III V Verbindungshalbleitermaterialien eingesetzt; wobei die… … Deutsch Wikipedia
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Gallium(III)-phosphid — Kristallstruktur Ga3+ P3− Allgemeines … Deutsch Wikipedia
Liste chemischer Verbindungen — Die Chemikalienliste stellt eine alphabetisch sortierte Liste von Chemikalien dar, ohne Anspruch auf Vollständigkeit. Elemente sind fett gekennzeichnet, Stoffgruppen kursiv. Der Haupteintrag zu einer Chemikalie ist gleichzeitig der Name des… … Deutsch Wikipedia
Liste von chemischen Verbindungen — Die Chemikalienliste stellt eine alphabetisch sortierte Liste von Chemikalien dar, ohne Anspruch auf Vollständigkeit. Elemente sind fett gekennzeichnet, Stoffgruppen kursiv. Der Haupteintrag zu einer Chemikalie ist gleichzeitig der Name des… … Deutsch Wikipedia
MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia