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1 Grenzdaten
Grenzdaten npl maximum ratingsDeutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Grenzdaten
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2 Grenzdaten
сущ.1) комп. предельные значения2) электр. максимальные параметры, предельные параметры3) выч. максимальные значения -
3 Grenzdaten
plпредельные [максимальные] параметры -
4 Grenzdaten
(pl)предельные (эксплуатационные) параметры -
5 Grenzdaten
plпредельные (максимальные) параметры -
6 Grenzdaten
pl.предельные ( максимальные) параметры -
7 Grenzdaten
pl предельные параметры мн.Neue große deutsch-russische Wörterbuch Polytechnic > Grenzdaten
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8 absolute Grenzdaten
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > absolute Grenzdaten
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9 absolute Grenzdaten
npl <tech.allg> ■ absolute maximum ratings; maximum ratings -
10 предельные параметры
Russian-german polytechnic dictionary > предельные параметры
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11 предельные данные
Grenzdaten n. pl.Русско-немецкий словарь по фототехнике, фотографии, кинотехнике и киносъемке > предельные данные
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12 максимальные значения
adjIT. GrenzdatenУниверсальный русско-немецкий словарь > максимальные значения
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13 максимальные параметры
adjelectr. GrenzdatenУниверсальный русско-немецкий словарь > максимальные параметры
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14 предельные значения
adjcomput. Grenzdaten -
15 предельные параметры
Универсальный русско-немецкий словарь > предельные параметры
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16 absolute maximum ratings
<tech.gen> ■ absolute Grenzdaten nplEnglish-german technical dictionary > absolute maximum ratings
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17 maximum ratings
<tech.gen> ■ absolute Grenzdaten npl -
18 absolute maximum ratings
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > absolute maximum ratings
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19 maximum ratings
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > maximum ratings
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20 предельные параметры
предельные параметры мн. Grenzdaten plБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > предельные параметры
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См. также в других словарях:
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up-Effekt — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige … Deutsch Wikipedia
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