-
101 transistore NPIN
-
102 transistore NPNP
-
103 transistore PNIP
-
104 transistore PNPN
-
105 interdigital transistor
транзистор с эмиттером встречно-штыревог типа, транзистор с эмиттером встречно-гребенчатого типаEnglish-Russian electronics dictionary > interdigital transistor
-
106 interdigital transistor
————————English-Russian dictionary of electronics > interdigital transistor
-
107 interdigital transistor
Универсальный англо-русский словарь > interdigital transistor
-
108 IT
1) [information technology] информационная техника, проф. информационная технология, ИТ2) [information theory] теория информации3) [interdigital transistor] транзистор с-эмиттером встречно-штыревого типа, транзистор с-эмиттером встречно-гребенчатого типа -
109 IT
1) сокр. от information technology информационная техника, проф. информационная технология, ИТ2) сокр. от information theory теория информации3) сокр. от interdigital transistor транзистор с эмиттером встречно-штыревого типа, транзистор встречно-гребенчатого типаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > IT
-
110 n-Kanal Anreicherungs-MISFET
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal Anreicherungs-MISFET
-
111 n-Kanal-Anreicherungs-MISFET
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungs-MISFET
-
112 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
сокр.микроэл. n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
-
113 n-Kanal-Anreicherungstransistor
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungstransistor
-
114 n-Kanal-Anreicherungstyp
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungstyp
-
115 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
mМОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа, n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащенияDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
-
116 n-Kanal-Depletion-FET
сокр.микроэл. МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обедненияУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Depletion-FET
-
117 n-Kanal-Depletion-MIS-FET
сокр.микроэл. МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обедненияУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Depletion-MIS-FET
-
118 n-Kanal-Depletion-MISFET
сокр.микроэл. МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обедненияУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Depletion-MISFET
-
119 n-Kanal-Verarmungs-IFET
сокр.микроэл. МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обедненияУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Verarmungs-IFET
-
120 n-Kanal-Verarmungs-MISFET
сокр.микроэл. МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обедненияУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Verarmungs-MISFET
См. также в других словарях:
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — ТРАНЗИСТОР, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ электронное устройство, способное усиливать электрические сигналы. В основное вещество КРЕМНИЙ или ГЕРМАНИЙ добавляется очень малое количество присадки МЫШЬЯКА или СУРЬМЫ, чтобы образовался материал типа п, в котором … Научно-технический энциклопедический словарь
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Транзистор — (от англ. transfer переносить и resistor сопротивление) электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в… … Большая советская энциклопедия
транзистор — полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно кремния Si, германия Ge или арсенида галлия), содержащего не менее трёх… … Энциклопедия техники
транзистор — а; м. [англ. transistor] 1. Полупроводниковый прибор, усиливающий и генерирующий электрические колебания. 2. Портативный радиоприёмник с такими приборами. Включить т. ◁ Транзисторный, ая, ое. Т. цех. Т. приёмник, магнитофон. * * * транзистор (от… … Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия