-
41 транзистор n-p-n-типа
Russian-german polytechnic dictionary > транзистор n-p-n-типа
-
42 транзистор типа p-n-p-n
Russian-german polytechnic dictionary > транзистор типа p-n-p-n
-
43 транзистор н-п-н типа
• tranzistor N-P-N -
44 транзистор типа p-n-p
Russian-English dictionary of railway terminology > транзистор типа p-n-p
-
45 транзистор с эмиттером ячеистого типа
Русско-английский словарь по микроэлектронике > транзистор с эмиттером ячеистого типа
-
46 транзистор таблеточного типа
Русско-английский научно-технический словарь Масловского > транзистор таблеточного типа
-
47 полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
-
48 полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
МОП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
-
49 МОП-транзистор
МОП-транзистор
Полевой транзистор с МОП-структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП-структура реализуется почти исключительно для кремния оксида SiO2 для затвора; эффективное переключающее устройство, доминирующее в логических устройствах и устройствах памяти; р-МОП-транзистор (p-канал, кремниевая подложка n-типа) и n-МОП-транзистор (n-канал, кремниевая подложка p-типа) при объединении образуют базовую КМОП-ячейку.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > МОП-транзистор
-
50 полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
-
51 полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
МОП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
-
52 полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
-
53 полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
МОП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник
-
54 константная неисправность типа обрыва
дефект типа "обрыв ветви" — branch-open fault
Русско-английский большой базовый словарь > константная неисправность типа обрыва
-
55 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
56 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораRussian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор
-
57 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник
Универсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник
-
58 полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник
Универсальный русско-немецкий словарь > полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник
-
59 МНП-транзистор с каналом n-типа
Electronics: n-channel mns transistorУниверсальный русско-английский словарь > МНП-транзистор с каналом n-типа
-
60 МОП-транзистор с каналом n- типа
Engineering: n-channel MOS transistorУниверсальный русско-английский словарь > МОП-транзистор с каналом n- типа
См. также в других словарях:
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — ТРАНЗИСТОР, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ электронное устройство, способное усиливать электрические сигналы. В основное вещество КРЕМНИЙ или ГЕРМАНИЙ добавляется очень малое количество присадки МЫШЬЯКА или СУРЬМЫ, чтобы образовался материал типа п, в котором … Научно-технический энциклопедический словарь
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Транзистор — (от англ. transfer переносить и resistor сопротивление) электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в… … Большая советская энциклопедия
транзистор — полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно кремния Si, германия Ge или арсенида галлия), содержащего не менее трёх… … Энциклопедия техники
транзистор — а; м. [англ. transistor] 1. Полупроводниковый прибор, усиливающий и генерирующий электрические колебания. 2. Портативный радиоприёмник с такими приборами. Включить т. ◁ Транзисторный, ая, ое. Т. цех. Т. приёмник, магнитофон. * * * транзистор (от… … Энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — (от англ. transfer переносить и резистор), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с разл.… … Естествознание. Энциклопедический словарь
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия