-
81 поверхностный ток утечки
1) Microelectronics: surface leakage2) Automation: surface leakage current (в полупроводниках)Универсальный русско-английский словарь > поверхностный ток утечки
-
82 полупроводниковый
1) General subject: solid state2) Engineering: solid3) Automobile industry: semiconductor4) Electronics: semiconducting, solid-state5) Oilfield: transistorized (на полупроводниках), semiconductive6) Cables: semiconducting (semiconductive)7) Makarov: solid-state (о приборе) -
83 примесный центры
Makarov: defect centers (в полупроводниках) -
84 проводящая зона
1) Oil: conductive zone, conductor, zone of conductivity2) Geophysics: low-resistivity zone3) Automation: conducting band (в полупроводниках) -
85 рекомбинационный контакт
Automation: recombination contact (в полупроводниках)Универсальный русско-английский словарь > рекомбинационный контакт
-
86 структурная решётка
1) Metallurgy: cancellation structure2) Automation: lattice arrangement (в полупроводниках)Универсальный русско-английский словарь > структурная решётка
-
87 ток базы
1) Engineering: base current2) Automation: base current (в полупроводниках) -
88 центр рекомбинации
Engineering: recombination center (в полупроводниках), recombination centre, recombination siteУниверсальный русско-английский словарь > центр рекомбинации
-
89 электронная проводимость
1) Computers: n conductance, n-type conductance2) Engineering: conduction by electrons, electron conduction, electron conductivity, electronic admittance3) Railway term: thermionic conduction4) Telecommunications: n-type conductivity5) Physics: electronic conductivity6) Information technology: n conduction, n-type conduction7) Geophysics: electronic conduction8) Automation: electron conduction (в полупроводниках)9) Electrochemistry: metallic conductionУниверсальный русско-английский словарь > электронная проводимость
-
90 эмиссия под действием внутреннего магнитного поля
1) Electronics: magnetoinfernal field emissionУниверсальный русско-английский словарь > эмиссия под действием внутреннего магнитного поля
-
91 энергетическая зона
1) Engineering: energy band2) Physics: band of energy3) Electronics: Bloch band4) Business: energy zone5) Microelectronics: band6) Automation: energy band (в полупроводниках)Универсальный русско-английский словарь > энергетическая зона
-
92 эффект уплотнения
1) Engineering: crowding effect (носителей в полупроводниках)2) Information technology: crowding effect (носителей) -
93 акцептор
* * *акце́птор м.1. ( примесь в полупроводниках) acceptor (impurity)вводи́ть акце́птор в полупроводни́к — dope a semi-conductor with an acceptor impurityакце́птор отбира́ет электро́н у криста́лла — the acceptor (atom) takes up an electron from the crystalакце́птор создаё́т при́месную ды́рочную проводи́мость — the acceptor gives rise to impurity [extrinsic] conduction by holes2. (атом или группа атомов, образующие связь за счёт свободной орбиты и неопределённой пары электронов донора) acceptor3. хим. scavengerакце́птор ио́нов — ion acceptorакце́птор прото́нов — proton acceptorакце́птор радика́лов — radical acceptorакце́птор электро́нов — electron acceptor* * * -
94 донорный центр
-
95 коэффициент переноса
Русско-английский политехнический словарь > коэффициент переноса
-
96 обедненный слой
-
97 пирамида
(1. геометрическое тело 2. поверхностный дефект в полупроводниках) pyramid* * *пирами́да ж.1. pyramid2. геод. ( трёхгранная) tripod signal; ( четырёхгранная) scaffold signalпра́вильная пирами́да мат. — regular pyramidусечё́нная пирами́да мат. — truncated pyramid* * *1) tripod signal; 2) scaffold signal -
98 дислокация
f Mil. Stationierung; Einsatzort m; Geol. Dislokation* * *дислока́ция f MIL Stationierung; Einsatzort m; GEOL Dislokation* * *дислока́ци|я<-и>ж ВОЕН, ГЕОЛ Dislokation fдислока́ция войск Dislokation der Armeeдислока́ция го́рных поро́д Dislokation der oberen Bodenschichten* * *n1) gener. Dislokation (тж. воен.), Dislozierung (тж. воен.), Dislokation2) geol. Abgleitung, Lagerungstörung, Störung, Verlegung, geologische Störung3) milit. Standort, Standortverteilung4) eng. Fehlanordnung, Fehlordnung, Fehlstelle, Lagerungsstörung, Umsetzung5) ling. Verschiebung6) mining. Gebirgsstörung7) radio. Versetzung (в полупроводниках)9) oil. Störung (в геологии)10) microel. Kristallversetzung (дефект кристаллической решётки)11) nav. Stationierung (войск) -
99 запирающее направление
Универсальный русско-немецкий словарь > запирающее направление
-
100 запирающий слой
adj1) eng. (запорный) Sperrschicht2) electr. Barrierschicht, Grenzschicht, Sperrschicht (в полупроводниках), Sperrschicht3) autom. Sperrschicht (сухого выпрямителя)4) cinema.equip. sperrende Schicht (напр., выпрямительного элемента)
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия