-
121 modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
- модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
│h21e│
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
-
122 gate-source cut-off voltage
напряжение отсечки полевого транзистора
напряжение отсечки
Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.отс
UGS(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-source cut-off voltage
-
123 punch-through (penetration) voltage
напряжение смыкания биполярного транзистора
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база.
Обозначение
UСМК
Upt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de pénétration (tension de persage)
Ucмк
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > punch-through (penetration) voltage
-
124 collector-emitter cut-off current
обратный ток коллектор-эмиттер
Ндп. начальный ток коллектора
ток коллектора закрытого транзистора
Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер.
Обозначение
IКЭ
Примечание
При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO;
при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER;
при заданном обратном напряжении эмиттер-база IКЭX, ICEX.
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
3. Обратный ток коллектор-эмиттер
Ток коллектора закрытого транзистора
D. Kollektor- Emitter- Reststrom
E. Collector-emitter cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur-émetteur
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter cut-off current
-
125 small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
- полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y12
y12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*12
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
-
126 small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
- полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts
E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*21
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
-
127 gate-source threshold voltage
пороговое напряжение полевого транзистора
пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.пор
UGST
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-source threshold voltage
-
128 total input power (d.c.) to all electrodes
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- total input power (d.c.) to all electrodes
DE
FR
- puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Gesamtverlustleistung
E. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes
Р
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total input power (d.c.) to all electrodes
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика