-
61 minimal noise figure
минимальный коэффициент шума биполярного транзистора
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума.
Обозначение
Kш min
Fmin
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора
D. Minimale Rauschzahl
E. Minimal noise figure
F. Facteur de bruit minimum
Kшmin
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > minimal noise figure
-
62 optimal power gain
оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума.
Обозначение
KyPoпт
Gpopt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Optimale Leistungsverstärkung
E. Optimal power gain
F. Gain de puissance optimum
КyPonm
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > optimal power gain
-
63 equivalent noise voltage
эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
D. Äquivalente Rauschspannung
E. Equivalent noise voltage
F. Tension de bruit équivalente
Uш
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > equivalent noise voltage
-
64 source
- производитель
- поставщик (продукции)
- модель предоставления
- источник риска
- источник примеси
- источник (происхождения)
- источник (в оптических линиях связи)
- источник (в менеджменте риска)
- источник (в геологии)
- источник
- исток (полевого транзистора)
- исток (в полупроводниковых приборах)
- исток
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
исток (в полупроводниковых приборах)
Один из трех выводов полевого транзистора; сильно легированная область, из которой в канал инжектируются основные носители.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
исток (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
источник
отправитель (сообщения)
—
[ http://www.rfcmd.ru/glossword/1.8/index.php?a=index&d=4464]
источник
1. Термин теории графов; то же, что начальное событие в сетевом графике. См. Событие, Сетевое планирование и управление (СПУ). 2. В сетевой постановке транспортной задачи — пункт производства (в отличие от пункта потребления, называемого стоком).
[ http://slovar-lopatnikov.ru/]Тематики
Синонимы
EN
источник
Естественный сосредоточенный выход подземных вод на земную поверхность или под водой
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
источник
ключ
родник
Естественный выход подземной воды непосредственно на земную поверхность.
[ Словарь геологических терминов и понятий. Томский Государственный Университет]Тематики
- водоснабжение и канализация в целом
- геология, геофизика
- гидрология суши
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
источник
Объект или деятельность с потенциальными последствиями
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. Аспекты безопасности. Правила включения в стандарты)
[ ГОСТ Р 51897-2002]Тематики
EN
FR
источник (происхождения)
поставщик
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
Синонимы
EN
модель предоставления
См. выбор модели предоставления услуг.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]EN
source
See service sourcing.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]Тематики
EN
производитель
Сторона, которая изготовляет или собирает компонент.
Примечание - Производитель и поставщик могут быть одним лицом или компанией.
[ГОСТ ИСО / ТО 10949- 2007]EN
3.18 источник (source): Объект или деятельность с потенциальными последствиями.
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. ИСО/МЭК Руководство 51).
[ИСО/МЭК Руководство 73:2002, пункт 3.1.5]
Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 16085-2007: Менеджмент риска. Применение в процессах жизненного цикла систем и программного обеспечения оригинал документа
3.44 источник риска (source): Объект или деятельность, которые самостоятельно или в комбинации с другими обладают возможностью вызывать повышение риска.
Примечание - Источник риска может быть материальным или нематериальным.
[Руководство ИСО/МЭК 73]
Источник: ГОСТ Р 53647.4-2011: Менеджмент непрерывности бизнеса. Руководящие указания по обеспечению готовности к инцидентам и непрерывности деятельности оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > source
-
65 modulus of the short-circuit forward transfer admittance
- модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
- Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи
-
Обозначение
│y21и│
│y21s│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
|y21э|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward transfer admittance
-
66 alpha-cutoff frequency
Вычислительная техника: граничная частота усиления (транзистора) по току в схеме с общей базой, граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общей базой, предельная частота усиления ( транзистора) по току в схеме с общей базойУниверсальный англо-русский словарь > alpha-cutoff frequency
-
67 current-amplification cutoff frequency
Вычислительная техника: граничная частота усиления (транзистора) по току, граничная частота усиления транзистора по току, предельная частота усиления ( транзистора) по токуУниверсальный англо-русский словарь > current-amplification cutoff frequency
-
68 gate dielectric
1) Техника: диэлектрик затвора, изолирующий слой затвора (полевого транзистора), диэлектрик затвора (полевого транзистора)2) Микроэлектроника: подзатворный диэлектрик3) Полупроводники: изолирующий слой затвора4) Макаров: изолирующий слой затвора (полевого транзистора) -
69 gate-source junction
1) Техника: истоковый переход (полевого транзистора), переход затвор исток2) Электроника: переход затвор-исток3) Макаров: переход затвор-исток (полевого транзистора), потоковый переход (полевого транзистора) -
70 gate-to-source junction
1) Техника: истоковый переход (полевого транзистора), переход затвор исток2) Электроника: переход затвор-исток3) Макаров: переход затвор-исток (полевого транзистора), потоковый переход (полевого транзистора)Универсальный англо-русский словарь > gate-to-source junction
-
71 guard-ring structure
1) Техника: структура с защитным кольцом (транзистора) -
72 transistor outline
1) Техника: корпус транзистора2) Микроэлектроника: конфигурация транзистора3) Электротехника: корпус транзистора с тремя выводами -
73 Kleinsignalverhalten
сущ.микроэл. поведение транзистора при малых сигналах, поведение транзистора при малых уровнях сигнала, работа (транзистора) в режиме малых сигналовУниверсальный немецко-русский словарь > Kleinsignalverhalten
-
74 paramètres hybrides de transistor
сущ.1) тех. смешанные параметры транзистора2) радио. h-параметры транзистора, гибридные параметры транзистораФранцузско-русский универсальный словарь > paramètres hybrides de transistor
-
75 valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
-
76 puissance dissipée de crête
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > puissance dissipée de crête
-
77 coefficient de saturation
коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. степень насыщения
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения.
Обозначение
Kнас
Ksat
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
FR
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. Степень насыщения
E. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
Кнас
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > coefficient de saturation
-
78 valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
- коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
-
79 valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
Обозначение
h21
h21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalstromverstärkung
E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
h*21
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
-
80 transconductance directe
крутизна характеристики полевого транзистора
крутизна характеристики
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Обозначение
S
gms
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > transconductance directe
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика