-
1 в объёме полупроводника
prepos.microel. im Halbleiterblock, im HalbleitervolumenУниверсальный русско-немецкий словарь > в объёме полупроводника
-
2 глубина экранирования полупроводника от внешнего электрического поля
nmicroel. Debye-AbschirmungslängeУниверсальный русско-немецкий словарь > глубина экранирования полупроводника от внешнего электрического поля
-
3 зонная структура полупроводника
adjmicroel. HalbleiterbandstrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > зонная структура полупроводника
-
4 интегральная микросхема, выполненная в объёме полупроводника
adjmicroel. HalbleiterblockschaltkreisУниверсальный русско-немецкий словарь > интегральная микросхема, выполненная в объёме полупроводника
-
5 кристалл полупроводника
nmicroel. EinkristallplättchenУниверсальный русско-немецкий словарь > кристалл полупроводника
-
6 кристаллическая решётка полупроводника
Универсальный русско-немецкий словарь > кристаллическая решётка полупроводника
-
7 монокристалл полупроводника
nmicroel. HalbleitereinkristallУниверсальный русско-немецкий словарь > монокристалл полупроводника
-
8 наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника
nУниверсальный русско-немецкий словарь > наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника
-
9 объём полупроводника
nmicroel. HalbleitervolumenУниверсальный русско-немецкий словарь > объём полупроводника
-
10 пластинка полупроводника
nmicroel. Halbleiterplättchen, HalbleiterscheibeУниверсальный русско-немецкий словарь > пластинка полупроводника
-
11 плотность подвижных носителей беспримесного полупроводника
neng. EigenleitungsdichteУниверсальный русско-немецкий словарь > плотность подвижных носителей беспримесного полупроводника
-
12 подвижность носителей в объёме полупроводника
nmicroel. (заряда) VolumenträgerbeweglichkeitУниверсальный русско-немецкий словарь > подвижность носителей в объёме полупроводника
-
13 слой полупроводника
n -
14 собственная проводимость полупроводника
Универсальный русско-немецкий словарь > собственная проводимость полупроводника
-
15 сопротивление полупроводника
neng. HalbleiterwiderstandУниверсальный русско-немецкий словарь > сопротивление полупроводника
-
16 технология получения интегральных микросхем в объёме полупроводника
nmicroel. HalbleiterblocktechnikУниверсальный русско-немецкий словарь > технология получения интегральных микросхем в объёме полупроводника
-
17 технология получения интегральных элементов в объёме полупроводника
nmicroel. volumenintegrierte TechnikУниверсальный русско-немецкий словарь > технология получения интегральных элементов в объёме полупроводника
-
18 точечный транзистор с базой из полупроводника п-типа
adjradio. Spitzen-n-TransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > точечный транзистор с базой из полупроводника п-типа
-
19 шум полупроводника
nmicroel. Halbleiterrauschen -
20 элемент на основе стеклообразного полупроводника
nmicroel. GlashalbleiterbauelementУниверсальный русско-немецкий словарь > элемент на основе стеклообразного полупроводника
См. также в других словарях:
валентная зона полупроводника — валентная зона Верхняя из заполненных зон полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы валентная зона … Справочник технического переводчика
демаркационный уровень полупроводника — демаркационный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
заполненная зона полупроводника — заполненная зона Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы заполненная зона … Справочник технического переводчика
захват носителя заряда полупроводника — захват носителя Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы захват носителя … Справочник технического переводчика
зона проводимости полупроводника — зона проводимости Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы зона проводимости … Справочник технического переводчика
инверсионный слой полупроводника — инверсионный слой Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы инверсионный слой … Справочник технического переводчика
концентрация вырождения полупроводника — концентрация вырождения Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы концентрация вырождения … Справочник технического переводчика
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… … Справочник технического переводчика
локальный энергетический уровень полупроводника — локальный уровень Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы… … Справочник технического переводчика
межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника — межзонная рекомбинация Ндп. прямая рекомбинация Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые, нерекомендуемые прямая рекомбинация Тематики… … Справочник технического переводчика