-
1 область насыщения
n1) eng. Naßdampfgebiet2) electr. Sättigungsbereich, Sättigungsgebiet, Sättigungszone, Übersteuerungsbereich (биполярного транзистора)3) microel. Einschnürbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора), Einschnürgebiet (рабочих характеристик МДП-транзистора), Übersteuerungebereich (биполярного транзистора) -
2 линейный участок
adj2) IT. Geradenabschnitt3) oil. Leitungsabschnitt4) microel. Triodenbereich (рабочих характеристик полевых транзисторов), aktiver Bereich (рабочих характеристик МДП-транзисторов), linearer Arbeitsbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора), linearer Bereich (рабочих характеристик транзистора), linearer ohmscher Bereich (рабочих характеристик полевых транзисторов), ohmscher Bereich (рабочих характеристик полевых транзисторов) -
3 статическая стокозатворная характеристика
adjmicroel. Spannungssteuerkennlinie (МДП-транзистора), Steuercharakteristik (полевого транзистора), Steuerkennlinie (полевого транзистора)Универсальный русско-немецкий словарь > статическая стокозатворная характеристика
-
4 Spannungssteuerkennlinie
сущ.микроэл. статическая стокозатворная характеристика (МДП-транзистора), статическая вольт-амперная характеристика (биполярного транзистора)Универсальный немецко-русский словарь > Spannungssteuerkennlinie
-
5 область насыщения
( рабочих характеристик МДП-транзистора) Einschnürbereich физ., Sättigungsbereich, Sättigungsgebiet, ( биполярного транзистора) Übersteuerungsbereich -
6 Schmalkanaleffekt
сущ.микроэл. эффект "узкого" канала (зависимость порогового напряжения МДП-транзистора от ширины канала и напряжения смещения подложки) -
7 Torbasisschaltung
сущ.микроэл. включение (МДП-транзистора) по схеме с общим затвором, схема с общим затвором -
8 linearer Arbeitsbereich
прил.микроэл. линейная область, линейный участок (рабочих характеристик МДП-транзистора)Универсальный немецко-русский словарь > linearer Arbeitsbereich
-
9 linearer Kennlinienbereich
прил.Универсальный немецко-русский словарь > linearer Kennlinienbereich
-
10 punch-through-Effekt
прил.микроэл. прокол базы, эффект смыкания, эффект пробоя участка сток-исток (МДП-транзистора)Универсальный немецко-русский словарь > punch-through-Effekt
-
11 включение по схеме с общим затвором
nmicroel. (МДП-транзистора) TorbasisschaltungУниверсальный русско-немецкий словарь > включение по схеме с общим затвором
-
12 линейная область рабочих характеристик
Универсальный русско-немецкий словарь > линейная область рабочих характеристик
-
13 эффект узкого канала
nmicroel. Schmalkanaleffekt (зависимость порогового напряжения МДП-транзистора от ширины канала и напряжения смещения подложки)Универсальный русско-немецкий словарь > эффект узкого канала
-
14 эффект пробоя участка сток-исток
nmicroel. punch-through-Effekt (МДП-транзистора)Универсальный русско-немецкий словарь > эффект пробоя участка сток-исток
-
15 Einschnürbereich
m физ.область [зона] шнурования (напр. пучка электронов); область перекрытия канала; область насыщения ( рабочих характеристик МДП-транзистора)Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Einschnürbereich
-
16 Einschnürbereich
сущ.1) физ. область шнурования, зона шнурования (напр. пучка электронов)2) микроэл. область перекрытия канала, область насыщения (рабочих характеристик МДП-транзистора) -
17 Einschnürgebiet
сущ.микроэл. область перекрытия канала, область насыщения (рабочих характеристик МДП-транзистора)
См. также в других словарях:
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
Принцип транслинейности — (англ. translinear principle, от англ. transconductance проводимость, крутизна передаточной характеристики) в анализе и проектировании аналоговых интегральных схем правило (уравнение), определяющее соотношения токов,… … Википедия
Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле … Википедия
ПАМЯТИ УСТРОЙСТВА — (запоминающиеустройства) в вычислит. технике (см. Электронная вычислительная машина )устройства для записи, хранения и воспроизведения информации. В качественосителя информации может выступать физ. сигнал, распространяющийся в среде … Физическая энциклопедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
Обратный затвор (электроника) — У этого термина существуют и другие значения, см. Обратный затвор. Обратный затвор в электронике и физике полупроводников сильно легированная подложка, являющаяся хорошим проводником и используемая в составе полевого транзистора или иной… … Википедия
TO220 — Внешний вид корпуса TO220 тип корпуса для транзисторов, в … Википедия
Квантовая индуктивность (графен) — Связать? Квантовая индуктивность (графен) (Quantum Inductance (Graphene)) – новая физическая величина, которая может быть получена из подхода Лурия (1988) [1], разработанного для … Википедия
International Rectifier — Тип публичная компания (NYSE:IRF) Год основания 1947 Расположение … Википедия
