-
1 eluaeg
сущ.общ. век, время жизни (носителей заряда, частицы), время полной амортизации, время существования, вся жизнь, длительность существования, длящийся всю жизнь, долговечность (напр. невосстанавливаемого элемента), жизненный цикл, жизнь, период жизни (англ.: life, lifetime // нем.: die Lebenszeit, das Leben), продолжительность действия (напр. пароля), продолжительность службы, продолжительность существования, ресурс, ресурс стойкости (инструмента), срок (службы машины), срок амортизации, срок годности, срок деятельности, срок работы, срок службы (детали, машины), срок эксплуатации (оборудования и т.п.), каменный век 3
См. также в других словарях:
ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Д. н. з. накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Д. н. з. vдр обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Под… … Физическая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ИНЖЕКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — ИНЖЕКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, увеличение концентрации носителей заряда (см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА) в полупроводнике или диэлектрике в результате переноса носителей током из областей с более высокой концентрацией (обычно через контакт с металлом, p n… … Энциклопедический словарь
Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности… … Википедия
накопление неравновесных носителей заряда в базе — накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
подвижность носителей заряда — отношение скорости направленного движения носителей заряда в веществе под действием электрического поля к напряжённости этого поля. 1) В газе подвижность ионов и электронов обратно пропорциональна давлению газа, массе частиц и их средней… … Энциклопедический словарь
избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы избыточная концентрация … Справочник технического переводчика
скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
