-
1 Staueffekt
сущ.микроэл. явление накопления, эффект накопления (носителей заряда) -
2 Akkumulationebereich
сущ.микроэл. обогащённый слой, область накопления носителей (заряда)Универсальный немецко-русский словарь > Akkumulationebereich
-
3 Ladungsträgerspeicherzeit
сущ.микроэл. время накопления носителей зарядаУниверсальный немецко-русский словарь > Ladungsträgerspeicherzeit
-
4 Speicherzeit
сущ.1) комп. цикл обращения к памяти, время сохранения (в памяти; данных), период сохранения (в памяти; данных)2) воен. время накопления (информации), время хранения (информации)3) тех. время запоминания4) радио. время хранения информации5) электр. время аккумулирования, время накопления (заряда), время накопления, время хранения накопленных зарядов, время хранения (напр. информации)6) выч. период хранения (в памяти; данных)7) микроэл. время рассасывания, время рассасывания носителей заряда, время собирания, время запаздывания обратного напряжения (диода, тиристора)8) ркт. допустимое время нахождения ступени (с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии (на Земле или на орбите ожидания)9) автом. время хранения накопленных сигналов -
5 passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
пассивная часть базовой области
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
См. также в других словарях:
время накопления носителей (заряда) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN carrier storage time … Справочник технического переводчика
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
ПЗС-ДЕТЕКТОР — координатный детекторчастиц, основой к рого является прибор с зарядовой связью (ПЗС,[1]). Создание детекторов частиц с высоким координатным разрешением однаиз важнейших задач ядерной физики и физики элементарных частиц (см. Координатныедетекторы) … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной … Физическая энциклопедия