-
1 silicon-gate-technology
Engineering: SGTУниверсальный русско-английский словарь > silicon-gate-technology
-
2 silicon-gate MOS bipolar technology
Engineering: SIGBIPУниверсальный русско-английский словарь > silicon-gate MOS bipolar technology
-
3 N-channel (Silicon Gate Reversed) CMOS
Information technology: NCMOSУниверсальный русско-английский словарь > N-channel (Silicon Gate Reversed) CMOS
-
4 silicon insulated-gate field-effect transistor
Information technology: SIGFETУниверсальный русско-английский словарь > silicon insulated-gate field-effect transistor
-
5 piihilateknologia
• silicon-gate technology -
6 технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
1) Engineering: polysilicon-gate isolation technology (изготовления)2) Microelectronics: poly-si process, polysilicon-gate process, polysilicon-gate technology, silicon-gate technology3) Makarov: silicon-gate MOS processУниверсальный русско-английский словарь > технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
-
7 технология МОП ИС с кремниевыми затворами
Engineering: silicon-gate MOS process (поли), silicon-gate process (поли), silicon-gate technology (изготовления)Универсальный русско-английский словарь > технология МОП ИС с кремниевыми затворами
-
8 МОП-структура с кремниевыми затворами
Engineering: silicon-gate MOS, silicon-gate technology MOSУниверсальный русско-английский словарь > МОП-структура с кремниевыми затворами
-
9 технология МОП интегральных схем с кремниевым затвором
Engineering: silicon-gate-technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология МОП интегральных схем с кремниевым затвором
-
10 технология изготовления МОП ИС с кремниевыми затворами
Engineering: silicon-gate technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология изготовления МОП ИС с кремниевыми затворами
-
11 n-Kanal-Siliciumgatetechnik
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > n-Kanal-Siliciumgatetechnik
-
12 МОП-структура с кремниевым затвором
1) Engineering: silicon gate MOS, silicon-gate-oxide-semiconductor2) Information technology: silicon-gate device3) Microelectronics: silicon-gate MOSУниверсальный русско-английский словарь > МОП-структура с кремниевым затвором
-
13 МОП-транзистор с кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-gate MOS transistor, silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistor3) Microelectronics: silicon-gate transistorУниверсальный русско-английский словарь > МОП-транзистор с кремниевым затвором
-
14 МОП-прибор с кремниевым затвором
Information technology: silicon-gate deviceУниверсальный русско-английский словарь > МОП-прибор с кремниевым затвором
-
15 кремниевый затвор
Information technology: silicon gate (в МОП-структурах) -
16 технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором
Engineering: silicon-gate MOS bipolar technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором
-
17 N-channel CMOS
Information technology: (Silicon Gate Reversed) NCMOS -
18 канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
19 полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
20 униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
См. также в других словарях:
silicon-gate MOS technology — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-gate MOS process — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… … Wikipedia
Gate array — A gate array or uncommitted logic array (ULA) is an approach to the design and manufacture of application specific integrated circuits (ASICs). A gate array circuit is a prefabricated silicon chip circuit with no particular function in which… … Wikipedia
Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… … Wikipedia
Metal gate — A metal gate, in the context of a lateral Metal Oxide Semiconductor MOS stack, is just that the gate material is made from a metal. For decades, the industry had moved away from metal as the gate material in the MOS stack due to fabrication… … Wikipedia
Field-programmable gate array — FPGAs should not be confused with the flip chip pin grid array, a form of integrated circuit packaging. A field programmable gate array is a semiconductor device containing programmable logic components called logic blocks , and programmable… … Wikipedia
Polycrystalline silicon — Polycrystalline silicon, also called polysilicon, is a material consisting of small silicon crystals. It differs from single crystal silicon, used for electronics and solar cells, and from amorphous silicon, used for thin film devices and solar… … Wikipedia
Carnegie Mellon Silicon Valley — Carnegie Mellon University Silicon Valley Front entrance of Building 23 Motto My heart is in the work (Andrew Carnegie) Established 2002 … Wikipedia
Crystalline silicon — is a material consisting of one or more small silicon crystals. Polycrystalline silicon Polycrystalline silicon (or polysilicon, poly Si, or simply poly in context) is a material consisting of multiple small silicon crystals.Polycrystalline… … Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia