-
61 power dissipation rating
English-Russian dictionary of program "Mir-Shuttle" > power dissipation rating
-
62 power-dissipation capability
English-Russian dictionary of electronics > power-dissipation capability
-
63 peak power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
импульсная рассеиваемая мощность диода
Pи, РМ
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода
D. Spitzenverlustleistung der Diode
E. Peak power dissipation
Pи
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak power dissipation
-
64 reverse power dissipation
- рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
- обратная рассеиваемая мощность диода
обратная рассеиваемая мощность диода
Pобр, PR
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока.
Обозначение
Pнпс,обр
PR
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- puissance dissipée à l’état bloqué dans Ie sens inverse
13. Обратная рассеиваемая мощность диода
E. Reverse power dissipation
F. Dissipation de puissance en inverse
Pобр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse power dissipation
-
65 pulse r. f. power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода
Pрас.и
PDPm
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
- pulse r. f. power dissipation
FR
- dissipation de puissance dans la cas de train d'ondes R. F.
103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода
E. Pulse r. f. power dissipation
F. Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R. F.
Pрас. и
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > pulse r. f. power dissipation
-
66 R. F. с. w. power dissipation
непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода
Pрас
РD
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
- R. F. с. w. power dissipation
FR
- dissipation de puissance dans le cas d'une onde R. F. entretenue
102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода
E. R. F. с. w. power dissipation
F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue
Pрас
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > R. F. с. w. power dissipation
-
67 forward power dissipation
прямая рассеиваемая мощность диода
Рпр, РF
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
12. Прямая рассеиваемая мощность диода
D. Durchlassverlustleistung der Diode
E. Forward power dissipation
F. Dissipation de puissance en direct
Pпр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward power dissipation
-
68 peak gate power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора
Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора.
Обозначение
Pу,и
PGM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
105. Импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора
E. Peak gate power dissipation
F. Puissance dissipée de pointe de gâchette
py,и
Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak gate power dissipation
-
69 maximum peak power dissipation
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum peak power dissipation
-
70 maximum collector power dissipation (d.c.)
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
-
Обозначение
PК max
PС max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector power dissipation (d.c.)
DE
FR
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung
E. Maximum collector power dissipation (d.c.)
F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale
РК max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum collector power dissipation (d.c.)
-
71 maximum admissible power dissipation
максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
Обозначение
Pmax
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
D. Maximal zulässige Verlustleistung
E. Maximum admissible power dissipation
F. Puissance dissipée maximale admissible
Рmax
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum admissible power dissipation
-
72 maximum collector power dissipation (average)
максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора
-
Обозначение
PК,ср max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора
E. Maximum collector power dissipation (average)
F. Puissance dissipée au collecteur (moyenne) maximale
РК, ср max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum collector power dissipation (average)
-
73 reverse gate power dissipation
обратная рассеиваемая мощность управления тиристора
-
Обозначение
Pу,обр
PRG
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
104. Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора
E. Reverse gate power dissipation
F. Puissance dissipée de gâchette inverse
py,обр
-
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse gate power dissipation
-
74 collector (d.c.) power dissipation
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора.
Обозначение
PК
PC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector (d.c.) power dissipation
DE
FR
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung
E. Collector (d.c.) power dissipation
F. Puissance dissipée (continue) au collecteur
РК
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector (d.c.) power dissipation
-
75 forward gate power dissipation
прямая рассеиваемая мощность управления тиристора
-
Обозначение
Pу,пр
PFG
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
103. Прямая рассеиваемая мощность управления тиристора
E. Forward gate power dissipation
F. Puissance dissipée directe de gâchette
py,пр
-
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward gate power dissipation
-
76 turn-on power dissipation
рассеиваемая мощность при включении тиристора
Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии.
Обозначение
Pвкл
PTT
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- puissance dissipée de d’amorçage
99. Рассеиваемая мощность при включении тиристора
E. Turn-on power dissipation
F. Puissance dissipée d’amorcage
Pвкл
Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on power dissipation
-
77 turn-off power dissipation
рассеиваемая мощность при выключении тиристора
Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение.
Обозначение
Pвыкл
PRQ, pRQ
PDQ, pDQ
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
100. Рассеиваемая мощность при выключении тиристора
E. Turn-off power dissipation
F. Puissance dissipée de désamorcage
pвыкл
Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off power dissipation
-
78 gate power dissipation
рассеиваемая мощность управления тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока управления.
Обозначение
Pу
PG
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
101. Рассеиваемая мощность управления тиристора
E. Gate power dissipation
F. Puissance dissipée de gâchette
py
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока управления
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate power dissipation
-
79 Average power dissipation
14. Средняя рассеиваемая мощность диода
D. Mittlere Verlustleistung der Diode
E. Average power dissipation
Pср
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
Средняя рассеиваемая мощность
Average power dissipation
Pрас.ср
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Average power dissipation
-
80 total power dissipation
рассеиваемая мощность ФЭПП
Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total power dissipation
См. также в других словарях:
CPU power dissipation — Central processing unit power dissipation or CPU power dissipation is the process in which central processing units (CPUs) consume electrical energy, and dissipate this energy both by the action of the switching devices contained in the CPU (such … Wikipedia
anode power dissipation — anodo galios sklaida statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. anode power dissipation vok. Anodenstreuleistung, f; Anodenverlustleistung, f rus. рассеяние мощности на аноде, n pranc. dissipation anodique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Power semiconductor device — Power semiconductor devices are semiconductor devices used as switches or rectifiers in power electronic circuits (switch mode power supplies for example). They are also called power devices or when used in integrated circuits, called power… … Wikipedia
Power management — is a feature of some electrical appliances, especially copiers, computers and computer peripherals such as monitors and printers, that turns off the power or switches the system to a low power state when inactive. One power management standard… … Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
Power electronic substrate — The role of the substrate in power electronics is to provide the interconnections to form an electric circuit (like a printed circuit board), and to cool the components. Compared to materials and techniques used in lower power microelectronics,… … Wikipedia
dissipation power — sklaidomoji galia statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. dissipated power; dissipation power vok. dissipierte Leistung, f; zerstreute Leistung, f; Zerstreuungsleistung, f rus. рассеиваемая мощность, f pranc. puissance dissipée, f … Fizikos terminų žodynas
dissipation anodique — anodo galios sklaida statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. anode power dissipation vok. Anodenstreuleistung, f; Anodenverlustleistung, f rus. рассеяние мощности на аноде, n pranc. dissipation anodique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Power virus — A power virus is a malicious computer program that executes specific machine code in order to reach the maximum CPU power dissipation (thermal energy output for the central processing unit). Computer cooling apparatus are designed to dissipate… … Wikipedia
Power optimization (EDA) — Power optimization refers to the use of electronic design automation tools to optimize (reduce) the power consumption of a digital design, while preserving the functionality.Introduction and historyThe increasing speed and complexity of today’s… … Wikipedia
Dissipation — In physics, dissipation embodies the concept of a dynamical system where important mechanical models, such as waves or oscillations, lose[citation needed] energy over time, typically from friction or turbulence. The lost energy converts into heat … Wikipedia