-
21 NMOS
1) Техника: n-channel metal-oxide-semiconductor2) Оптика: N-type metal oxide semiconductor4) Электроника: Negative channel Metal- Oxide Semiconductor5) Вычислительная техника: Negative Channel Metal-Oxide Semiconductor, n-channel metal-oxide semiconductor, Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor (IC), N channel Metal Oxide Semiconductor (N-MOS, see)6) Полупроводники: n-channel MOS7) Высокочастотная электроника: negative metal-oxide semiconductor8) НАСА: Network Mission Operations Support9) Хобби: New Mexico Ornithological Society -
22 PMOS
1) Военный термин: primary military occupational specialty4) Электроника: Positive channel Metal- Oxide Semiconductor5) Вычислительная техника: Positive Channel Metal Oxide Semiconductor, p-channel metal-oxide-semiconductor, Positive-channel Metal Oxide Semiconductor (IC), P channel Metal Oxide Semiconductor (P-MOS, see)6) Бытовая техника: p-канальный МОП-транзистор7) Полупроводники: p-channel MOS8) Высокочастотная электроника: positive metal-oxide semiconductor -
23 NMOS
n-channel metal-oxide-semiconductor - N-канал металлооксидного полупроводника; n-канальная МОП-структура; n-канальный МОП-прибор; п-МОП-структура; метал-окисел-полу проводник структура с N-канал ом; МОП-прибор с каналом n-типа; МОП-структура с каналом п-типа; n-MOST n-type metal-oxide-semiconductor transistor - МОП-транзистор с каналом n-типа -
24 PMOS
1. p-channel metal oxide semiconductor - р-канальная МОП-структура; р-канальный МОП-прибор; р-канальный МОП-транзистор; метал-оксид-полупроводник структура с Р-каналом; МОП-структура с каналом р-типа; р-канальная МОП-структура; р-МОП-структура;2. p-type metal-oxide-semiconductor - МОП-прибор с каналом р-типа -
25 NMOS
(Negative Channel Metal-Oxide Semiconductor, N-channel MOS) n-канальный МОП-прибор, технология NMOS(произносится "N moss", "энмос") распространённая технология изготовления микросхем памятисм. тж. MOSАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > NMOS
-
26 NMOS
-
27 PMOS
[p-channel metal-oxide-semiconductor] p-канальный МОП-прибор -
28 pMOS
сокр. [p-channel metal-oxide-semiconductor] МОП-структура с каналом р-типа, р-канальная МОП-структура, р-МОП-структура -
29 PMOS
сокр. от p-channel metal-oxide-semiconductorМОП-структура с каналом р-типа, р-канальная МОП-структура, р-МОП-структура -
30 pMOS
сокр. от p-channel metal-oxide-semiconductorМОП-структура с каналом р-типа, р-канальная МОП-структура, р-МОП-структура -
31 BINMOS
= bi-NMOS, = bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на-биполярных транзисторах и-МОП-транзисторах с-каналом n-типа -
32 NMOS
= n-channel metal-oxide-semiconductor -
33 BINMOS
сокр. от bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BINMOS
-
34 NMOS
сокр. от n-channel metal-oxide-semiconductorThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > NMOS
-
35 NMOS
сокр. от n-channel metal-oxide semiconductorEnglish-Russian dictionary of computer science and programming > NMOS
-
36 PMOS
сокр. от p-channel metal-oxide-semiconductorEnglish-Russian dictionary of computer science and programming > PMOS
-
37 NMOS
сокр. от n-channel metal-oxide-semiconductor; = nMOSn-канальная структура металл - оксид - полупроводник, n-МОП-структураEnglish-Russian dictionary of telecommunications and their abbreviations > NMOS
-
38 PMOS
сокр. от p-channel metal-oxide semiconductorp-канальная структура металл - диэлектрик - полупроводник, p-МОП-структураEnglish-Russian dictionary of telecommunications and their abbreviations > PMOS
-
39 nМОП
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
40 NMOS
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура).
См. также в других словарях:
buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
n-channel metal-oxide-semiconductor transistor — MOP tranzistorius su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel metal oxide semiconductor transistor; n channel MOS transistor vok. n Kanal MOS Transistor, m rus. n канальный МОП транзистор, m; МОП транзистор с… … Radioelektronikos terminų žodynas
p-channel metal-oxide-semiconductor transistor — MOP tranzistorius su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel metal oxide semiconductor transistor vok. p Kanal MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с каналом p типа, m; р канальный МОП транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
metal oxide semiconductor field-effect transistor — field effect transistor in which the gate is separated from the conducting channel by an insulation, MOSFET (Electronics) … English contemporary dictionary
Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
Metal gate — A metal gate, in the context of a lateral Metal Oxide Semiconductor MOS stack, is just that the gate material is made from a metal. For decades, the industry had moved away from metal as the gate material in the MOS stack due to fabrication… … Wikipedia
buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas