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21 schottkysche Randschicht
Randschicht f: schottkysche Randschicht f Schottky barrier (ideal funktionierender Metall-Halbleiter-Übergang)Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > schottkysche Randschicht
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22 Legierungsübergang
m <el> (Halbleiter) ■ alloy junction; alloyed junctionm < metall> ■ fused junction -
23 Randschicht
f <el> (Halbleiter) ■ barrier -
24 Übergangszone
f <ic> (Halbleiter) ■ junction region; transition region; junction; junction zonef < kst> (von Spritzgieß- od. Extruderschnecken) ■ transition zone; compression section; compression zone; transition section; melting section raref < metall> ■ fusion zonef < petr> ■ transition zone -
25 MIS-…
MIS-…siehe auch: Metall-Isolator-Halbleiter-…Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > MIS-…
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26 CMOS
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См. также в других словарях:
Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Prinzipskizze eines n Kanal MESFETs Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n Kanal … Deutsch Wikipedia
Metall-Halbleiter-Metall-Struktur — metalo puslaidininkio metalo darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor metal structure vok. Metall Halbleiter Metall Struktur, f rus. структура металл полупроводник металл, f pranc. structure métal semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Halbleiter-Grenzschicht — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Halbleiter-Übergangsbauelement — įtaisas su metalo ir puslaidininkio sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor device vok. Metall Halbleiter Übergangsbauelement, n rus. прибор с переходом металл полупроводник, m pranc. dispositif à… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Halbleiter-Übergang — metalo puslaidininkio sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. metal semiconductor junction vok. Metall Halbleiter Übergang, m rus. переход металл полупроводник, m pranc. jonction métal semi conducteur, f … Fizikos terminų žodynas
Halbleiter-Diode — Eine Diode (griech.: di zwei, doppelt; hodos Weg) ist ein elektrisches Bauelement, das Strom nur in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung wie ein Isolator wirkt. Dioden bewirken eine Gleichrichtung von Wechselspannung,… … Deutsch Wikipedia
Halbleiter — sind Festkörper, die hinsichtlich ihrer elektrischen Leitfähigkeit sowohl als Leiter als auch als Nichtleiter betrachtet werden können. Halbleiter können verschiedene chemische Strukturen besitzen: Man unterscheidet zwischen Elementhalbleitern… … Deutsch Wikipedia
Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur — MIS Struktur (Metall/SiO2/p Si) in einem vertikalen MIS Kondensator Die Metall Isolator Halbleiter Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B … Deutsch Wikipedia
Metall — Dieser Artikel behandelt chemische Elemente, zum wappenkundlichen Begriff siehe Tingierung, die ukrainische Fachzeitschrift findet sich unter Metall (Zeitschrift). Gallium … Deutsch Wikipedia
Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia