max

допустимая высота отсасывания гидравлической турбины
допустимая высота отсасывания
Наибольшая высота отсасывания гидравлической турбины, при которой для данного режима гарантируется коэффициент полезного действия, указанный на эксплуатационной характеристике гидравлической турбины.
[ ГОСТ 23956-80] 

Тематики

• турбины гидравлические

Синонимы

• допустимая высота отсасывания

EN

• allowable suction head

DE

• max. zulässige Saughöhe der Wasserturbine

FR

• valeur de calage admissible de turbine hydraulique

44. Допустимая высота отсасывания гидравлической турбины

Допустимая высота отсасывания

D. Max. zulassige Saughohe der Wasserturbine

E. Allowable suction head

F. Valeur de calage admissible de turbine hydraulique

Наибольшая высота отсасывания гидравлической турбины, при которой для данного режима гарантируется коэффициент полезного действия, указанный на эксплуатационной характеристике гидравлической турбины

Источник: ГОСТ 23956-80: Турбины гидравлические. Термины и определения оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
-
Обозначение
P_{К max}
P_{С max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector power dissipation (d.c.)

DE

• maximal zulässige Kollektorverlustleistung

FR

• puissance dissipée au collecteur (continue) maximale

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung

E. Maximum collector power dissipation (d.c.)

F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale

Р_{К max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ, max}
U_{СEM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-emitter voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-émetteur maximale

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale

U_{КЭ, и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ max}
U_{СB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-base maximale

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

U_{КБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
U_{ЭБ max}
U_{EB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum emitter-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

FR

• tension continue émetteur-base maximale

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue émetteur-base maximale

I_{ЭБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
I_{Э,и max}
I_{EM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak emitter current

DE

• maximal zulässige Emitterimpulsstrom

FR

• courant de crête d'émetteur maximal

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom

E. Maximum peak emitter current

F. Courant de crête d’emetteur maximal

I_{Э,и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ,и max}
U_{СBM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-base voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-base maximale

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ max}
U_{СE max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-emitter (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-émetteur maximale

максимально допустимый импульсный ток коллектора
-
Обозначение
I_{К,и max}
I_CMmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector current

DE

• maximal zulässige Kollektorimpulsstrom

FR

• courant de crête de collecteur maximal

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

D. Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom

E. Maximum peak collector current

F. Courant de crête de collecteur maximal

I_{К,и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа