-
101 CIGFET
complementary insulated-gate field-effect transistor; complementary isolated gate FET - комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором -
102 CIGFET
сокр. [complementary insulated-gate field-effect transistor] комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором -
103 RIGFET
сокр. [resistive insulated gate field-effect transistor] полевой транзистор с изолированным резистивным затвором -
104 SIGFET
[silicon insulated-gate field-effect transistor] канальный [полевой, униполярный] транзистор с изолированным кремниевым затвором, МОП-транзистор с кремниевым затвором -
105 BIGFET
(комбинированная) ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами -
106 CIGFET
сокр. от complementary insulated-gate field-effect transistorкомплементарный полевой транзистор с изолированным затвором -
107 IGFET
сокр. от insulated gate field-effect transistor -
108 RIGFET
сокр. от resistive insulated gate field-effect transistor -
109 МДП-транзистор с проводящим каналом
Универсальный русско-английский словарь > МДП-транзистор с проводящим каналом
-
110 полевой МОП-транзистор с изолированным затвором
Electronics: MOS insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > полевой МОП-транзистор с изолированным затвором
-
111 полевой транзистор со структурой резистивный сплав-диэлектрик-полупроводник
Универсальный русско-английский словарь > полевой транзистор со структурой резистивный сплав-диэлектрик-полупроводник
-
112 прибор на основе комбинации биполярного транзистора и
Electronics: bipolar insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > прибор на основе комбинации биполярного транзистора и
-
113 униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
114 induced-channel IGFET
Макаров: (insulated-gate field-effect transistor) МДП-транзистор с индуцированным каналом -
115 BIGFET
= bipolar insulated-gate field-effect transistorприбор на-основе комбинации биполярного транзистора и-полевого транзистора с-изолированным затвором -
116 BIGFET
сокр. от bipolar insulated-gate field-effect transistorприбор на основе комбинации биполярного транзистора и полевого транзистора с изолированным затворомThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BIGFET
-
117 IGFET
сокр. от insulated-gate field-effect transistorполевой транзистор с изолированным затвором, (полевой) МДП-транзисторThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > IGFET
-
118 BIGFET
сокр. от bipolar insulated gate field effect transistorтранзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходеEnglish-Russian dictionary of computer science and programming > BIGFET
-
119 SIGFET
сокр. от silicon insulated-gate field-effect transistorканальный [полевойуниполярный] транзистор с изолированным кремниевым затвором, МОП-транзистор сEnglish-Russian dictionary of computer science and programming > SIGFET
-
120 BIGFET
BIGFET m bipolar insulated-gate field-effect transistor, BIGFETDeutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > BIGFET
См. также в других словарях:
insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
resistive insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary insulated-gate field-effect transistor — jungtinis lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary insulated gate field effect transistor vok. komplementärer Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m rus. комплементарный… … Radioelektronikos terminų žodynas
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
resistive insulated-gate FET — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
transistor à effet de champ à grille isolée — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas